[發明專利]透明導電層壓薄膜、其制造方法以及包含該透明導電層壓薄膜的觸摸屏

有效

• 申請號: 201110379574.0
• 申請日: 2011-11-07
• 公開（公告）號: CN102467992A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 李萬鎬;查理·洪
• 申請（專利權）人: 株式會社BMC
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00;B32B27/06;B32B9/04;G06F3/041
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

技術領域

本發明涉及包含具有各不相同的折射率的層壓體的透明導電層壓薄膜、其制造方法及其用途。

背景技術

觸摸屏是安裝在顯示裝置的表面、將用戶的手指、觸筆等的物理接觸轉換為電子信號的輸出裝置，被應用到液晶顯示裝置(liquid?crystal?display)、等離子顯示屏(plasma?display?panel)和EL(electro-luminescence)元件等。

這樣的觸摸屏是信息顯示設備的特殊輸入裝置，根據實現方式分為電阻膜方式、電容方式、超聲波方式、紅外線方式和彈性波方式等。

最近，在使用量和應用范圍擴大的移動設備和導航設備之類的小型便攜式設備中，電阻膜方式和數字電容方式的觸摸屏已廣泛應用。特別是電阻膜方式操作實現容易，制造成本低，大量應用于一般的觸摸屏手機和導航設備，然而最近，從現有的只能做標簽(Tab)和拖動(Drag)的簡單操作的觸摸屏觸摸方法脫離，將容易實現多種方式的多點觸控的電容方式的觸摸屏安裝在智能手機和高檔移動設備的顯示器中的行為在一直擴大。

電容方式的觸摸屏包含觸摸圖案層，所述觸摸圖案層起到對應外部物理接觸產生電信號的作用，但在用于電容方式的觸摸屏的透明導電薄膜的情況下，必須可見光透射率高、透射著色低且在透明電極圖案蝕刻工序后生成的透明電極圖案的可見度良好。特別是，用于電容方式的觸摸屏的透明導電薄膜為了不失真地表現顯示畫面的色相，透射著色必須低，在觸摸屏產品的結構上在透明電極圖案蝕刻工序后生成的圖案的可見度必須良好。為了獲得低的透射著色性和高的圖案可見度，必須使圖案透射且肉眼可見的減到最少，為此，需要反射光量減少而透射量增加的層壓結構。然而，在現有的觸摸屏中使用的透明導電薄膜一般具有對電阻膜方式合適的可見光透射率。在用于克服這一點的多層結構的薄膜情況下，即使是在提高透射率和確保對高溫和高濕度(150℃、濕度90％)以及熱沖擊的耐久性和電阻穩定性的情況下，還存在隨著多層膜的層壓導致生產時間增加而制造成本增加的問題。

為了解決上述問題，一直以來，形成具有比透明基底的折射率大、比透明導電層的折射率小的中間層，降低透射光的色差儀b*值從而透射色變成黃色和棕色的問題得到了解決，但不能制作在電容方式中使用的具有高透射率的導電層壓薄膜。

此外，用于制作具有高透射率的導電層壓薄膜的另外其他的現有技術提出了在形成低折射率和高折射率的氧化物薄膜的導電層壓薄膜的中間層形成的工序中作為干式工藝用物理氣相沉積法(PVD，physical?vapor?deposition)中濺射(Sputtering)成膜的方法，提高了透射率和耐久性。然而，用濺射法形成具有高折射率和低折射率的兩層金屬和無機氧化物需要長時間的成膜時間，無法解決在卷對卷(roll-to-roll)方式的連續生產過程中需要增加制造成本的問題。

發明內容

[發明要解決的問題]

本發明提供光透射率高和透射著色低的透明導電層壓薄膜，提供即使在高溫·高濕的惡劣環境中表面電阻變化率也小和耐久性優異、在提高透明電極圖案的可見度的同時能夠降低制造成本的透明導電層壓薄膜及其制造方法，提供包含所述透明導電層壓薄膜的觸摸屏。

然而，本發明要解決的問題不限于以上所述問題，沒有提及的其他問題，本領域的技術人員也可以從下面的說明中清楚地理解。

[用于解決問題的方法]

為了解決上述問題，本發明的第一方面，提供了一種透明導電層壓薄膜，該透明導電層壓薄膜包括：光透明基底；利用等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)層壓在所述光透明基底上至10nm～300nm的厚度、包含無機氧化物、具有折射率為1.3～2.5的第一層壓體；利用等離子體增強化學氣相沉積法層壓在所述第一層壓體上至10nm～300nm的厚度、包含與所述第一層壓體所含的無機氧化物不同的無機氧化物的第二層壓體；和層壓在所述第二層壓體上至10nm～100nm的厚度的透明導電層。

在一種實施方式中，在所述透明導電層的厚度為50nm以上的情況下，所述第二層壓體的折射率比所述第一層壓體的折射率大，但不限于此

在一種實施方式中，所述第一層壓體和第二層壓體的總厚度是50～350nm，但不限于此。

在一種實施方式中，所述第二層壓體的色差儀的L、a*、b*值中透射色坐標值為-7＜b*＜2，但不限于此。

在一種實施方式中，所述透明導電層包含氧化銦錫(ITO)、氧化錫銻(ATO)和氧化銦鋅(IZO)中的一種以上，但不限于此。