[發(fā)明專利]具有空氣側(cè)墻的CMOS 制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110379535.0 | 申請日： | 2011-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN102376647A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 空氣 cmos 制作方法 | ||
1.一種具有空氣側(cè)墻的CMOS制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一硅晶片，所述硅晶片包括NMOS區(qū)和PMOS區(qū)，所述NMOS區(qū)形成有P+源/漏區(qū)和NMOS柵極，所述PMOS區(qū)形成有N+源/漏區(qū)和PMOS柵極，所述NMOS柵極和PMOS柵極兩側(cè)都具有側(cè)墻；
在上述結(jié)構(gòu)上沉積第一介質(zhì)層；
化學(xué)機械研磨第一介質(zhì)層，直至去除所述側(cè)墻頂部的一部分，在側(cè)墻頂部形成釋放口；
濕法刻蝕去除NMOS柵極和PMOS柵極兩側(cè)的側(cè)墻；
在上述結(jié)構(gòu)上沉積第二介質(zhì)層；
采用光刻、刻蝕工藝，形成分別連通至N+源/漏區(qū)、P+源/漏區(qū)的接觸孔；
在接觸孔內(nèi)填充金屬形成互連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有空氣側(cè)墻的CMOS制作方法，其特征在于：所述側(cè)墻的材料為氮化硅或二氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有空氣側(cè)墻的CMOS制作方法，其特征在于：所述第一介質(zhì)層為二氧化硅或低介電常數(shù)薄膜，其厚度為3000-9000埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有空氣側(cè)墻的CMOS制作方法，其特征在于：所述第二介質(zhì)層為二氧化硅或低介電常數(shù)薄膜，其厚度為3000-6000埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有空氣側(cè)墻的CMOS制作方法，其特征在于：所述釋放口的寬度小于10nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有空氣側(cè)墻的CMOS制作方法，其特征在于：所述濕法刻蝕去除NMOS柵極和PMOS柵極兩側(cè)的側(cè)墻采用磷酸。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
