[發(fā)明專利]用于處理晶圓的反應(yīng)裝置、靜電吸盤和晶圓溫度控制方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110379158.0
• 申請(qǐng)日: 2011-11-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103137517A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何其旸;三重野文健;張翼英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 孫寶海

1.一種用于吸引晶圓的靜電吸盤(ESC)，其特征在于，包括：

用于支撐晶圓的絕緣層；和

位于所述絕緣層的半導(dǎo)體溫控模塊陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列中各個(gè)半導(dǎo)體溫控模塊的制冷/制熱開(kāi)關(guān)和/或輸出功率能夠獨(dú)立控制。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，還包括：程控選擇器，與所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列電連接，用于控制所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列中各個(gè)半導(dǎo)體溫控模塊的制冷/制熱開(kāi)關(guān)和/或輸出功率。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電吸盤，其特征在于，還包括：溫度探測(cè)器，用于探測(cè)吸附于所述靜電吸盤上的晶圓的不同位置的溫度；

所述程控選擇器與所述溫度探測(cè)器相連，用于根據(jù)所述溫度探測(cè)器探測(cè)的溫度控制所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列中每個(gè)半導(dǎo)體溫控模塊的制冷/制熱開(kāi)關(guān)和/或輸出功率。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靜電吸盤，其特征在于，所述溫度探測(cè)器為紅外溫度探測(cè)器，具有射頻芯片。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，所述半導(dǎo)體溫控模塊為半導(dǎo)體制冷/制熱模塊，所述半導(dǎo)體制冷/制熱模塊采用基于Bi2Te3-Sb2Te3，Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3，P型Ag(1-x)Cu(x)Ti?Te，N型Bi-Sb合金，YBaCuO的超導(dǎo)體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列為蜂窩狀、矩陣排列，或者線陣列。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其特征在于，還包括：

位于所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列下方的流體冷卻系統(tǒng)。

9.一種用于處理晶圓的反應(yīng)裝置，其特征在于，包括：

腔室，

在所述腔室內(nèi)用于支撐晶圓的如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的靜電吸盤。

10.一種晶圓溫度控制方法，其特征在于，包括：

確定靜電吸盤中半導(dǎo)體溫控模塊陣列的各個(gè)半導(dǎo)體溫控模塊的輸出參數(shù)，所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列位于所述靜電吸盤的用于支撐晶圓的絕緣層中，所述輸出參數(shù)包括制冷/制熱開(kāi)關(guān)和/或輸出功率；

根據(jù)所述各個(gè)半導(dǎo)體溫控模塊的輸出參數(shù)對(duì)所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列中各個(gè)半導(dǎo)體溫控模塊進(jìn)行控制以便控制所述晶圓的溫度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列中各個(gè)半導(dǎo)體溫控模塊的制冷/制熱開(kāi)關(guān)和/或輸出功率能夠獨(dú)立控制。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括：

探測(cè)吸附于所述靜電吸盤上的晶圓的不同位置的溫度；

根據(jù)所述晶圓的不同位置的溫度確定溫度補(bǔ)償圖；

所述確定靜電吸盤中半導(dǎo)體溫控模塊陣列的各個(gè)半導(dǎo)體溫控模塊的輸出參數(shù)包括：

根據(jù)所述溫度補(bǔ)償圖確定靜電吸盤包括的半導(dǎo)體溫控模塊陣列中各個(gè)半導(dǎo)體溫控模塊的輸出參數(shù)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述探測(cè)吸附于所述靜電吸盤上的晶圓的不同位置的溫度包括：

探測(cè)吸附于所述靜電吸盤上的晶圓的預(yù)定圖形位置上的溫度。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體溫控模塊為半導(dǎo)體制冷/制熱模塊，所述半導(dǎo)體制冷/制熱模塊采用基于Bi2Te3-Sb2Te3，Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3，P型Ag(1-x)Cu(x)Ti?Te，N型Bi-Sb合金，YBaCuO的超導(dǎo)體。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列為蜂窩狀、矩陣排列，或者線陣列。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，還包括：

通過(guò)位于所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列下方的流體冷卻系統(tǒng)結(jié)合所述半導(dǎo)體溫控模塊陣列控制所述晶圓的溫度。