[發(fā)明專利]恒流電路以及基準(zhǔn)電壓電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110379099.7 | 申請日: | 2011-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN102478877A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小林裕二;井村多加志;杉浦正一;五十嵐敦史 | 申請(專利權(quán))人: | 精工電子有限公司 |
| 主分類號: | G05F3/26 | 分類號: | G05F3/26 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 流電 以及 基準(zhǔn) 電壓 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及恒流電路以及采用該恒流電路的基準(zhǔn)電壓電路,更詳細(xì)地說涉及恒流電路的穩(wěn)定動(dòng)作。
背景技術(shù)
對現(xiàn)有的恒流電路進(jìn)行說明。圖9是示出采用現(xiàn)有的K值(驅(qū)動(dòng)能力)之差的恒流電路的電路圖。K值是利用K=W/L·(μCox/2)求出的。這里,W表示柵極寬、L表示柵極長、μ表示載流子的遷移率、Cox表示每單位面積的柵極端子氧化膜電容。
現(xiàn)有的恒流電路由K值不同的增強(qiáng)型NMOS晶體管的晶體管91以及92、增強(qiáng)型PMOS晶體管的晶體管93以及94、和電阻95構(gòu)成。
增強(qiáng)型NMOS晶體管91的源極端子與最低電位的接地端子100連接,漏極端子及柵極端子都與增強(qiáng)型NMOS晶體管92的柵極端子及增強(qiáng)型PMOS晶體管93的漏極端子連接。增強(qiáng)型NMOS晶體管92的源極端子經(jīng)由電阻95與接地端子100連接,漏極端子與增強(qiáng)型PMOS晶體管94的柵極端子以及漏極端子、增強(qiáng)型PMOS晶體管93的柵極端子連接。增強(qiáng)型PMOS晶體管93以及94的源極端子都與最高電位的電源端子101連接。
接著,對現(xiàn)有的恒流電路的動(dòng)作進(jìn)行說明。增強(qiáng)型NMOS晶體管91的K值小于增強(qiáng)型NMOS晶體管92的K值。在電阻95中產(chǎn)生增強(qiáng)型NMOS晶體管91與增強(qiáng)型NMOS晶體管92的柵極端子源極端子間電壓差,并利用增強(qiáng)型PMOS晶體管93以及94對流過電阻95的電流進(jìn)行電流鏡像(current?mirror),生成偏置電流(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。
【專利文獻(xiàn)1】日本特開平3-238513號公報(bào)
但是,現(xiàn)有的恒流電路具有兩個(gè)動(dòng)作點(diǎn)。一個(gè)是偏置電流流過的通常動(dòng)作點(diǎn),另一個(gè)是偏置電流為0的動(dòng)作點(diǎn)。當(dāng)連接點(diǎn)291的電位為電源端子101的最高電位、連接點(diǎn)290的電位為接地端子100的最低電位時(shí),固定在偏置電流為0的動(dòng)作點(diǎn),恒流電路不動(dòng)作。因此,現(xiàn)有的恒流電路具有在啟動(dòng)時(shí)還另外需要啟動(dòng)電路的課題。
另外,當(dāng)連接點(diǎn)291的電位伴隨著電源端子101的上升而上升時(shí),增強(qiáng)型NMOS晶體管91以及92的特性由于增強(qiáng)型NMOS晶體管92的溝道長度調(diào)制效應(yīng)的影響而改變,偏置電流發(fā)生變動(dòng)。即,現(xiàn)有恒流電路存在輸入穩(wěn)定度惡化的課題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的,其提供不需要啟動(dòng)電路而輸入穩(wěn)定度良好的恒流電路。
為了解決上述課題,本發(fā)明的恒流電路具有:恒流生成電路,其具有NMOS晶體管和電阻;電流鏡電路,其由一對耗盡型NMOS晶體管構(gòu)成,這一對耗盡型NMOS晶體管流過上述恒流生成電路的電流,并且彼此的柵極端子相互連接;以及反饋電路,其將上述一對耗盡型NMOS晶體管的源極端子的電壓保持為恒定。
根據(jù)本發(fā)明的恒流電路,在電流鏡電路中使用耗盡型NMOS晶體管,由此在形成有溝道的狀態(tài)下進(jìn)行啟動(dòng),所以在偏置電流為0的動(dòng)作點(diǎn)不會穩(wěn)定,而可靠地進(jìn)行啟動(dòng)。因此,恒流電路不需要啟動(dòng)電路。另外,通過設(shè)置差動(dòng)放大電路,增強(qiáng)型NMOS晶體管的漏極電壓的變化的反饋相等地施加,所以耗盡型NMOS晶體管的漏極電流僅由W/L之比來決定。因此,通過提高反饋環(huán)路的增益特性,輸入穩(wěn)定度能夠得到進(jìn)一步改善。
附圖說明
圖1是示出本發(fā)明的恒流電路的框圖。
圖2是示出恒流源模塊電路的具體例的恒流電路的電路圖。
圖3是示出恒流源模塊電路的其它具體例的恒流電路的電路圖。
圖4是示出差動(dòng)放大電路的具體結(jié)構(gòu)例的恒流電路的電路圖。
圖5是示出差動(dòng)放大電路的其它結(jié)構(gòu)例的恒流電路的電路圖。
圖6是示出差動(dòng)放大電路的其它結(jié)構(gòu)例的恒流電路的電路圖。
圖7是示出差動(dòng)放大電路的其它結(jié)構(gòu)例的恒流電路的電路圖。
圖8是示出采用本發(fā)明恒流電路的基準(zhǔn)電壓電路一例的電路圖。
圖9是示出現(xiàn)有恒流電路的結(jié)構(gòu)例的電路圖。
標(biāo)號說明
100接地端子
101電源端子
102恒流輸出端子
103??P溝道共源共柵端子
104??N溝道共源共柵端子
105第二電源端子
106基準(zhǔn)電壓輸出端子
111差動(dòng)放大電路
112恒流生成模塊電路
113恒流源
具體實(shí)施方式
圖1是示出本發(fā)明的恒流電路的框圖。本發(fā)明的恒流電路由恒流生成模塊電路112、差動(dòng)放大電路111和耗盡型NMOS晶體管13以及14構(gòu)成。
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