[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池的制法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110379070.9 | 申請日: | 2011-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN103022242A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉俊岑;陳玉鴻;吳建良;陳毓儒;王裕銘 | 申請(專利權(quán))人: | 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;田景宜 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜 太陽能電池 制法 | ||
1.一種薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,包括以下步驟:
于一玻璃基板的背光面上形成透光的第一電極層,且于該第一電極層形成多個(gè)第一開孔,以由該第一開孔露出部份的該背光面;
于該第一電極層及借由該第一開孔露出的部份該背光面上形成光電轉(zhuǎn)換層,并于該光電轉(zhuǎn)換層形成多個(gè)第二開孔,以由該第二開孔露出部份的該第一電極層;以及
以非真空鍍膜方法于該光電轉(zhuǎn)換層及借由該第二開孔露出的部份該第一電極層上,形成用以反光且具有多個(gè)第三開孔的第二電極層,其中,該第二電極層包括具有非繞射的填充物及高分子基材所構(gòu)成的導(dǎo)電膠體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,于該第一電極層形成多個(gè)第一開孔的步驟,是指借由激光圖案化方法令該第一電極層具有多個(gè)第一開孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,于該光電轉(zhuǎn)換層形成多個(gè)第二開孔的步驟,是指借由激光圖案化方法令該光電轉(zhuǎn)換層具有多個(gè)第二開孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,于該光電轉(zhuǎn)換層形成多個(gè)第二開孔的步驟,是指于該光電轉(zhuǎn)換層形成多個(gè)位置不同于該第一開孔的第二開孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,以非真空鍍膜方法形成該第二電極層的步驟,是指透過網(wǎng)印方法、轉(zhuǎn)印方法或噴墨方法形成該第二電極層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,透過網(wǎng)印方法、轉(zhuǎn)印方法或噴墨方法形成該第二電極層的步驟,是指于常溫或小于120℃的環(huán)境溫度中,利用網(wǎng)印方法、轉(zhuǎn)印方法或噴墨方法形成該第二電極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,形成具有多個(gè)第三開孔的第二電極層的步驟,是指形成具有多個(gè)間距小于50um的第三開孔的第二電極層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,形成具有多個(gè)第三開孔的第二電極層的步驟,是指形成具有多個(gè)位置重疊于該第二開孔的第三開孔的第二電極層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,形成第二電極層的步驟,是指形成厚度小于20μm的第二電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,該填充物的重量介于該導(dǎo)電膠體的重量30%至70%間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,該填充物至少一維度的尺寸大于或等于λ/2n,而λ為該導(dǎo)電膠體的反射波長,且n為該填充物的折射率。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,該填充物為管狀、線狀、棒狀或片狀的復(fù)合物,且該填充物為納米金、銀、銅、鋁、或鈦。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池的制法,其特征在于,該片狀銀的特征長度范圍介于0.5至16um間。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院,未經(jīng)財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110379070.9/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





