[發明專利]用于進行表面結構化的蝕刻方法

無效

• 申請號: 201110378997.0
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102557466A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 伊夫琳·魯迪吉爾-沃伊特;馬蒂亞斯·布克梅爾
• 申請（專利權）人: 肖特公開股份有限公司
• 主分類號: C03C15/00
• 分類號: C03C15/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 車文;樊衛民

1.用于將結構加工到基板(11)的表面中的方法，其中，

·將掩模原料(12)施加到表面上；

·利用沖頭(13)將依據所希望的結構選定的圖案壓印到所述掩模原料(12)中；

·使所述掩模原料(12)在至少一個硬化步驟中硬化，從而獲得蝕刻掩模(15)；

·并且，使液態的蝕刻介質與所述蝕刻掩模(15)發生接觸，以便獲得具有經結構化的表面(14)的基板，

其特征在于，所述蝕刻掩模在有待被結構化的表面的區域中不具有孔。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩模原料(12)包括納米顆粒。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述掩模原料(12)包含如下的基礎材料，所述基礎材料包括一種或者多種網絡形成體。

4.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述納米顆粒具有0.5nm至10μm的、優選為2nm至150nm的平均直徑。

5.根據權利要求2至4中一項或者多項所述的方法，其特征在于，所述納米顆粒選自碳化物、氮化物、氧化物、氟化物、氮氧化物和羥基氟化物。

6.根據前述權利要求中一項或者多項所述的方法，其中，所述掩模原料(12)包括份額為0重量％至60重量％的納米顆粒。

7.根據前述權利要求3至6中一項或者多項所述的方法，其中，網絡形成體是溶膠-凝膠-預制階段物。

8.根據權利要求3至7中一項或者多項所述的方法，其中，所述掩模原料(12)包括份額為40重量％至100重量％的基礎材料。

9.根據前述權利要求中一項或者多項所述的方法，其特征在于，所述蝕刻介質是水性溶液。

10.根據前述權利要求中一項或者多項所述的方法，其特征在于，所述基板是玻璃或者玻璃陶瓷。

11.根據權利要求3至10中一項或者多項所述的方法，其中，網絡形成體選自：丙烯酰基硅烷、環氧硅烷、丙烯酰基烷氧基硅烷、丙烯酰基環氧硅烷、環氧烷氧基硅烷、烯丙基硅烷、乙烯基硅烷、氟烷基硅烷、氨基硅烷、烷氧基硅烷、金屬醇鹽、金屬氧化物丙烯酸鹽、金屬氧化物甲基丙烯酸鹽和/或金屬氧化物乙酰丙酮酸鹽。

12.基板，具有依照根據前述權利要求中的一項或多項所述的方法獲得的、經結構化的表面(14)。

13.用于制造蝕刻掩模(15)的網絡形成體的應用。

14.根據權利要求13所述的應用，其中，所述網絡形成體是溶膠-凝膠預制階段物。

15.蝕刻掩模(15)，依照根據權利要求1至11所述的方法獲得。