[發(fā)明專利]一種散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110378872.8 | 申請日： | 2011-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN102479763A | 公開（公告）日： | 2012-05-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林文強;王家忠 | 申請（專利權(quán)）人： | 鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L23/552;H01L23/31;H01L25/065;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 散熱 增益 堆疊 半導(dǎo)體 組件 | ||
1.一種散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，包括：
一散熱座，其包括一凸塊及一凸緣層，其中(i)該凸塊鄰接該凸緣層并與該凸緣層一體成形，且自該凸緣層朝第二垂直方向延伸，(ii)該凸緣層自該凸塊朝垂直于該第二垂直方向的側(cè)面方向側(cè)向延伸，且(iii)該凸塊具有一凹穴，其面朝相反于該第二垂直方向的第一垂直方向，且該凹穴于該第二垂直方向上是由該凸塊覆蓋的，并于該凸緣層處設(shè)有一入口；
一基板，其包括一通孔；
一黏著層，其包括一開口，其中該凸塊延伸進(jìn)入該開口及該通孔，且該黏著層接觸該凸塊、該凸緣層及該基板，同時該黏著層位于該凸塊與該基板之間以及該凸緣層與該基板之間，并自該凸塊側(cè)向延伸至該組件的外圍邊緣；
一半導(dǎo)體元件，其包括一接觸墊且設(shè)置于該凸塊上，并延伸進(jìn)入該凹穴；
一第一介電層，其自該半導(dǎo)體元件及該凸緣層朝該第一垂直方向延伸，且朝該第一垂直方向延伸于該黏著層及該基板外，并與該基板保持距離且包括一對準(zhǔn)該接觸墊的第一盲孔；
一第一導(dǎo)線，其自該第一介電層朝該第一垂直方向延伸，并于該第一介電層上側(cè)向延伸，同時朝該第二垂直方向穿過該第一盲孔而延伸至該接觸墊，以電性連接該半導(dǎo)體元件；
一第二介電層，其朝該第二垂直方向延伸于該凸塊、該黏著層及該基板外，并與該凸緣層及該第一介電層保持距離；
一第二導(dǎo)線，其自該第二介電層朝該第二垂直方向延伸，并于該第二介電層上側(cè)向延伸；以及
一被覆穿孔，其延伸穿過該黏著層及該基板，以提供該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線間之電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該半導(dǎo)體元件是位于該凹穴處并通過設(shè)置于該凹穴內(nèi)的一固晶材料而熱連結(jié)至該凸塊。
3.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該凸塊具有一沖壓而成的特有不規(guī)則厚度。
4.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該凸塊包含一鄰接該第二介電層的第一彎折角與一鄰接該凸緣層的第二彎折角。
5.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該凸塊與該黏著層于該第二介電層處共平面。
6.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該凹穴朝該等垂直方向及該等側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分。
7.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該凸緣層接觸該黏著層及該第一介電層，并介于該黏著層與該第一介電層之間。
8.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該黏著層接觸并介于該凸緣層與該基板之間以及該第一介電層與該第二介電層之間，同時也接觸該被覆穿孔，并與該第一導(dǎo)線及該第二導(dǎo)線保持距離。
9.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該黏著層于鄰接該凸緣層處具有第一厚度，而于鄰接該凸塊處具有不同于該第一厚度的第二厚度。
10.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該第一介電層更包括對準(zhǔn)該凸緣層的另一第一盲孔，且該第一導(dǎo)線朝該第二垂直方向延伸穿過該另一第一盲孔，以電性連接該凸緣層。
11.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該第一介電層更包括對準(zhǔn)該被覆穿孔的另一第一盲孔，且該第一導(dǎo)線朝該第二垂直方向穿過該另一第一盲孔而延伸至與該凸緣層保持距離、共平面且具有相同厚度的一內(nèi)部接墊，以電性連接該被覆穿孔。
12.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該第一介電層更延伸進(jìn)入該凹穴。
13.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該第一導(dǎo)線更延伸穿過該第一盲孔而進(jìn)入該凹穴。
14.如權(quán)利要求1所述的散熱增益型堆疊式半導(dǎo)體組件，其中，該第二介電層包括一對準(zhǔn)該凸塊的第二盲孔，且該第二導(dǎo)線朝該第一垂直方向穿過該第二盲孔而延伸至該凸塊，以電性連接該凸塊。
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