[發(fā)明專利]有基島球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110378797.5 | 申請日: | 2011-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN102403283A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王新潮;梁志忠;謝潔人;吳昊 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56 |
| 代理公司: | 江陰市同盛專利事務(wù)所 32210 | 代理人: | 唐紉蘭 |
| 地址: | 214434 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有基島球柵 陣列 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種有基島球柵陣列封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:它包括外基島(1)和外引腳(2),所述外基島(1)正面設(shè)置有芯片(5),所述外引腳(2)正面通過多層電鍍方式形成內(nèi)引腳(4),所述內(nèi)引腳(4)正面延伸到芯片(5)旁邊,所述芯片(5)正面與內(nèi)引腳(4)正面之間用金屬線(6)連接,所述內(nèi)引腳(4)、芯片(5)和金屬線(6)外包封有塑封料(7),所述外基島(1)和外引腳(2)外圍的區(qū)域、外基島(1)和外引腳(2)之間的區(qū)域以及外引腳(2)與外引腳(2)之間的區(qū)域嵌置有填縫劑(10),且外基島(1)和外引腳(2)的背面露出填縫劑(10)外,在露出填縫劑(10)外的外基島(1)和外引腳(2)的背面設(shè)置有錫球(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種有基島球柵陣列封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述填縫劑(10)采用有填料填充物質(zhì)或無填料填充物質(zhì)。
3.一種如權(quán)利要求1所述的有基島球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于所述方法包括以下工藝步驟:
步驟一、取金屬基板
步驟二、貼膜作業(yè)
利用貼膜設(shè)備在金屬基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜,
步驟三、金屬基板正面去除部分圖形的光刻膠膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟二完成貼膜作業(yè)的金屬基板正面進(jìn)行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜,以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行電鍍的區(qū)域的圖形,
步驟四、電鍍第一金屬層
對步驟三中金屬基板正面去除部分圖形的光刻膠膜的區(qū)域通過多層電鍍方式形成第一金屬層,
步驟五、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)
將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除,在金屬基板正面相對形成內(nèi)引腳,
步驟六、裝片打線
在步驟五形成的內(nèi)引腳之間的金屬基板正面通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)進(jìn)行芯片的植入,以及在芯片正面與內(nèi)引腳正面之間進(jìn)行鍵合金屬線作業(yè),
步驟七、包封
利用塑封料注入設(shè)備,將已完成芯片植入以及鍵合金屬線作業(yè)的金屬基板進(jìn)行包封塑封料作業(yè),并進(jìn)行塑封料包封后的固化作業(yè),
步驟八、貼膜作業(yè)
利用貼膜設(shè)備在完成包封以及固化作業(yè)的金屬基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光刻膠膜,
步驟九、金屬基板背面去除部分圖形的光刻膠膜
利用曝光顯影設(shè)備將步驟八完成貼膜作業(yè)的金屬基板背面進(jìn)行圖形的曝光、顯影與去除部分圖形的光刻膠膜,以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形,
步驟十、金屬基板背面進(jìn)行全蝕刻或半蝕刻作業(yè)
對步驟九中金屬基板背面去除部分光刻膠膜的圖形區(qū)域同時(shí)進(jìn)行全蝕刻或半蝕刻,在金屬基板背面形成凹陷的蝕刻區(qū)域,同時(shí)相對形成外基島和外引腳,
步驟十一、金屬基板正面及背面去膜作業(yè)
將金屬基板正面及背面余下的光刻膠膜去除,
步驟十二、金屬基板背面蝕刻區(qū)域填充填縫劑
在所述金屬基板背面的蝕刻區(qū)域內(nèi)利用填充的設(shè)備進(jìn)行充填填縫劑,并進(jìn)行填縫劑充填或包封后的固化作業(yè),
步驟十三、外基島和外引腳背面進(jìn)行微蝕刻
對外基島和外引腳背面區(qū)域進(jìn)行微蝕刻,在金屬基板背面形成凹陷的微蝕刻區(qū)域,
步驟十四、形成錫球
在金屬基板背面微蝕刻區(qū)域內(nèi)填入錫膠后再進(jìn)行回流焊,在外基島和外引腳背面形成錫球,
步驟十五、切割成品
將已完成步驟十四完成形成錫球的半成品進(jìn)行切割作業(yè),使原本以陣列式集合體方式集成在一起并含有芯片的塑封體模塊一顆顆切割獨(dú)立開來,制得有基島球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)成品。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有基島球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于:所述外基島(1)的正面通過多層電鍍方式形成一個(gè)或多個(gè)內(nèi)基島(3),所述芯片(5)通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(8)設(shè)置于內(nèi)基島(3)正面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有基島球柵陣列封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于:所述內(nèi)引腳(4)與內(nèi)引腳(4)之間通過導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘結(jié)物質(zhì)(8)跨接有無源器件(15)。
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