[發明專利]熱輔助磁寫頭及用于其中的加熱裝置

無效

• 申請號: 201110378120.1
• 申請日: 2011-11-24
• 公開（公告）號: CN102479516A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: V.P.S.拉韋特;B.C.斯蒂普
• 申請（專利權）人: 日立環球儲存科技荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/31
• 分類號: G11B5/31;G11B5/127
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種加熱裝置，用于熱輔助磁寫頭中，該加熱裝置包括：

等離激元天線，

其中所述等離激元天線包括金屬合金。

2.如權利要求1的加熱裝置，其中所述金屬合金是金合金AuX，其中X為Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt。

3.如權利要求1的加熱裝置，其中所述金屬合金是金合金AuX，其中X為Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt，X的濃度小于5at％。

4.如權利要求1的加熱裝置，其中所述金屬合金是銅合金CuX，其中X為Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt。

5.如權利要求1的加熱裝置，其中所述金屬合金是銅合金CuX，其中X為Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt，X的濃度小于5at％。

6.如權利要求1的加熱裝置，其中所述金屬合金是銀合金AgX，其中X為Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt。

7.如權利要求1的加熱裝置，其中所述金屬合金是銀合金AgX，其中X為Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt，X的濃度小于5at％。

8.如權利要求1的加熱裝置，其中所述金屬合金是鋁合金AlX，其中X為Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt。

9.如權利要求1的加熱裝置，其中所述金屬合金是鋁合金AlX，其中X為Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt，X的濃度小于5at％。

10.如權利要求1的加熱裝置，還包括接觸所述等離激元天線的至少一個邊緣的孔。

11.一種熱輔助磁寫頭，包括：

近場換能器，包括金屬性E形天線，該金屬性E形天線包括金屬合金；

磁極；以及

磁唇，與所述磁極連接。

12.如權利要求11的熱輔助磁寫頭，其中所述金屬性E形天線包括金合金AuX，其中X為Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt，且

還包括電介質C形孔，該電介質C形孔包括SiO₂、Si₃N₄或SiO_xN_y。

13.如權利要求11的熱輔助磁寫頭，其中所述金屬性E形天線包括金合金AuX，其中X為Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt，X的濃度小于5at％，且

還包括電介質C形孔，該電介質C形孔包括SiO₂、Si₃N₄或SiO_xN_y。

14.如權利要求11的熱輔助磁寫頭，其中所述金屬性E形天線包括銅合金CuX，其中X為Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt，X的濃度小于5at％，且

還包括電介質C形孔，該電介質C形孔包括SiO₂、Si₃N₄或SiO_xN_y。

15.如權利要求11的熱輔助磁寫頭，其中所述金屬性E形天線包括銀合金AgX，其中X為Cu、Ni、Ta、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mo、Y、W、Ru、Rh或Pt，且

還包括電介質C形孔，該電介質C形孔包括SiO₂、Si₃N₄或SiO_xN_y。