[發明專利]包括場效應晶體管的集成電路

有效

• 申請號: 201110377996.4
• 申請日: 2011-11-24
• 公開（公告）號: CN102544007A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: C.卡多;T.邁爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L23/538
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;李家麟

1.一種集成電路，包括：

半導體載體，包括第一側和與所述第一側相對的第二側；

在所述半導體載體的第一區域中的場效應晶體管，所述場效應晶體管的漏極電耦合到在所述第一側的漏極接觸區域并且所述場效應晶體管的源極電耦合到在所述第二側的源極接觸區域；

在所述半導體載體的第二區域中的第一電路元件，所述第二區域經由溝渠絕緣與包圍所述第二區域的所述半導體載體電絕緣，所述溝渠絕緣從所述第一側延伸到所述第二側；

互連層級，電互連在所述第二側的所述第一電路元件，所述互連層級經由絕緣層與整個第二區域中的所述源極接觸區域電絕緣；以及

傳導路徑，從所述第一側通過所述半導體載體延伸到所述第二側，所述傳導路徑與包圍所述傳導路徑的所述半導體載體電絕緣；并且

其中，至少一個所述第一電路元件經由溝渠接觸而電耦合到在所述第一側的接觸區域。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述場效應晶體管的柵極經由所述互連層級電耦合到至少一個所述第一電路元件。

3.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述第一區域包括經由從所述第一側延伸到所述第二側的溝渠絕緣而彼此電絕緣的多個場效應晶體管，并且每一個所述場效應晶體管包括至少一個場效應晶體管單元。

4.根據權利要求3所述的集成電路，其中，所述多個場效應晶體管共享共同的源極。

5.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述第一電路元件包括經由從所述第一側延伸到所述第二側的溝渠絕緣而彼此電絕緣的多個半導體電路器件。

6.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述半導體載體包括柵極驅動電路。

7.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述源極接觸區域覆蓋在所述第二側的所述第一區域和所述第二區域兩者。

8.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述半導體載體經由在所述第二側的所述源極接觸區域安裝到引線框。

9.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述場效應晶體管是p溝道功率MOSFET，并且所述半導體載體包括在所述第一側的第一p⁺型載體部分和在所述第二側的第二p型載體部分。

10.根據權利要求9所述的集成電路，其中，所述第一p⁺型載體部分是p⁺型硅半導體襯底，并且所述第二p型載體部分是所述p⁺型半導體襯底上的p型外延層。

11.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述互連層級包括經由與所述第二側鄰接的接觸塞而電耦合到所述第二區域中的所述半導體載體的金屬線。

12.根據權利要求11所述的集成電路，其中，所述源極接觸區域經由中間金屬層電耦合到所述源極，所述中間金屬層是所述互連層級的部分。

13.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述傳導路徑包括摻雜多晶硅材料，所述摻雜多晶硅材料經由所述傳導路徑的側壁處的絕緣體與包圍所述傳導路徑的所述半導體載體電絕緣。

14.根據權利要求1所述的集成電路，還包括：

所述半導體載體的第三區域中的第二電路元件，所述第三區域經由從所述第一側延伸到所述第二側的溝渠絕緣而與包圍所述第三區域的所述半導體載體電絕緣；并且

其中，所述源極接觸區域經由所述互連層級電耦合到至少一個所述第二電路元件。

15.根據權利要求14所述的集成電路，其中，所述場效應晶體管的柵極經由所述互連層級電耦合到至少一個所述第二電路元件。

16.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述場效應晶體管是功率p溝道溝渠MOSFET。