[發(fā)明專利]一種氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110377942.8
• 申請日: 2011-11-24
• 公開（公告）號: CN102437262A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉軍林;江風益;王立;蒲勇;張萌;方文卿
• 申請（專利權(quán)）人: 南昌黃綠照明有限公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04;H01L33/14;H01L33/12
• 代理公司: 江西省專利事務(wù)所 36100
• 代理人: 張文

1.一種氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括襯底，在襯底?上設(shè)有緩沖層，在緩沖層上設(shè)有n型層和p型層，其特征在于：所述n型層由從下向上依次疊加的n-GaN?、n型層內(nèi)量子阱層和Al_xIn_yGa_(1-x-y)N:Si電子注入層構(gòu)成，其中0≤x≤1,?0≤y≤1，Si摻雜濃度為1×10¹⁸─1×10¹⁹?cm^-3，所述p型層由從下向上依次疊加的p型層內(nèi)發(fā)光阱層和?p-Al_xIn_yGa_(1-x-y)N構(gòu)成，其中0≤x≤1,?0≤y≤1；在n型層和p型層之間設(shè)有主發(fā)光阱層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述n型層內(nèi)量子阱層是由從下向上依次疊加的In_xGa_(1-x)N量子阱和Al_xIn_yGa_(1-x-y)N勢壘組成的周期結(jié)構(gòu)，周期數(shù)為k,其中0≤x≤1,?0≤y≤1,?1≤k≤20。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述p型層內(nèi)發(fā)光阱層是由從下向上依次疊加的p-Al_xIn_yGa_(1-x-y)N空穴注入層、第一Al_xIn_yGa_(1-x-y)N雜質(zhì)擴散阻擋層、In_xGa_(1-x)N量子阱和第二Al_xIn_yGa_(1-x-y)N雜質(zhì)擴散阻擋層組成的周期結(jié)構(gòu)，周期數(shù)為m,?其中0≤x≤1,?0≤y≤1,?1≤m≤10，p-Al_xIn_yGa_(1-x-y)N空穴注入層內(nèi)摻Mg濃度為1×10¹⁹─2×10²⁰cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述主發(fā)光阱層由In_xGa_(1-x)N量子阱和Al_xIn_yGa_(1-x-y)N勢壘組成的周期結(jié)構(gòu)，周期數(shù)為n,其中0≤x≤1,?0≤y≤1,?1≤n≤20。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：在n型層內(nèi)量子阱層中，In_xGa_(1-x)N量子阱中的In含量小于或等于主發(fā)光阱層中的In_xGa_(1-x)N量子阱中的In含量。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：在p型層內(nèi)發(fā)光阱層中，In_xGa_(1-x)N量子阱中的In含量與主發(fā)光阱層中的In_xGa_(1-x)N量子阱中的In含量相等或相差±10%以內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：n型層內(nèi)量子阱層的禁帶寬度大于或等于主發(fā)光阱層的禁帶寬度，p型層內(nèi)發(fā)光阱層的禁帶寬度等于或接近主發(fā)光阱層的禁帶寬度。

8.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底為Al₂O₃、SiC、Si或GaN或其它能夠生長GaN單晶的材料中的一種。