[發(fā)明專利]一種ONU光模塊發(fā)端光功率監(jiān)測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110377780.8
• 申請(qǐng)日: 2011-11-24
• 公開（公告）號(hào): CN102420653A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 狄旭明;周志榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都優(yōu)博創(chuàng)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H04B10/08
• 分類號(hào): H04B10/08
• 代理公司: 泰和泰律師事務(wù)所 51219
• 代理人: 曾祥坤;楊栩

1.一種ONU光模塊發(fā)端光功率監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，包括如下步驟：

S10：TX_SD連接步驟：將激光器發(fā)光檢測(cè)電路的TX_SD管腳連接到MCU的中斷管腳；

S20：初始化步驟：ONU光模塊上電初始化，MCU將存儲(chǔ)區(qū)的發(fā)端光功率監(jiān)測(cè)值賦值為0；

S30：采集步驟：發(fā)端光功率監(jiān)測(cè)電路采集發(fā)端光功率監(jiān)測(cè)值；

S40：MCU判斷處理步驟：

S401：若當(dāng)前TX_SD無效，則保持存儲(chǔ)區(qū)中的監(jiān)測(cè)值不變；

S402：若當(dāng)前TX_SD有效，則將監(jiān)測(cè)電路采集的監(jiān)測(cè)值實(shí)時(shí)刷新存儲(chǔ)到MCU存儲(chǔ)區(qū)中；

S50：校驗(yàn)步驟：對(duì)MCU存儲(chǔ)區(qū)的監(jiān)測(cè)值進(jìn)行校準(zhǔn)，將校準(zhǔn)后的監(jiān)測(cè)值上報(bào)給系統(tǒng)設(shè)備；

S60：結(jié)束步驟：回到步驟S30開始執(zhí)行，直到光模塊停止工作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述ONU光模塊發(fā)端光功率監(jiān)測(cè)方法，其特征在于：

所述步驟S20中，還包括初始化后MCU打開中斷管腳的步驟；

所述步驟S30與步驟S40之間，還包括步驟S35：中斷判斷步驟：MCU判斷中斷管腳是否打開，若中斷管腳打開則執(zhí)行步驟S40；若中斷管腳未打開，則繼續(xù)判斷中斷屏蔽時(shí)延是否已滿，若時(shí)延已滿則打開中斷管腳然后重復(fù)執(zhí)行步驟S35，若時(shí)延未滿則直接重復(fù)執(zhí)行步驟S35；

所述步驟S402中，在判斷TX_SD有效之后刷新存儲(chǔ)監(jiān)測(cè)值之前，還包括MCU進(jìn)入中斷處理，關(guān)閉中斷管腳，觸發(fā)中斷屏蔽時(shí)延處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述ONU光模塊發(fā)端光功率監(jiān)測(cè)方法，其特征在于：

所述步驟S40中判斷TX_SD是否有效，是判斷是否接收到TX_SD上升沿觸發(fā)信號(hào)，若接收到則TX_SD有效，若未接收到則TX_SD無效。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述ONU光模塊發(fā)端光功率監(jiān)測(cè)方法，其特征在于：

所述步驟S40中判斷TX_SD是否有效，是判斷TX_SD是否為高電平，若為高電平到則TX_SD有效，若為低電平則TX_SD無效。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述ONU光模塊發(fā)端光功率監(jiān)測(cè)方法，其特征在于：

步驟S50中所述校準(zhǔn)過程為：首先讓發(fā)端發(fā)光兩次，并記錄下兩次發(fā)光時(shí)利用光功率計(jì)測(cè)量得到的實(shí)際光功率值m、n和MCU中的監(jiān)測(cè)值M、N，根據(jù)公式K=(m-n)/(M-N)得到校準(zhǔn)系數(shù)K；在此后的每次校準(zhǔn)步驟中，直接用MCU中的監(jiān)測(cè)值乘以校準(zhǔn)系數(shù)K，得到校準(zhǔn)后的監(jiān)測(cè)值。