[發(fā)明專利]金屬氧化物半導(dǎo)體管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110377708.5
• 申請日: 2011-11-24
• 公開（公告）號: CN103137479A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙猛
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體MOS管的制作方法，該方法包括：

在具有第一阱的第一半導(dǎo)體襯底表面依次形成第一柵氧化層和第一多晶硅柵極，并在所述第一多晶硅柵極的兩側(cè)形成第一側(cè)壁層；

以第一多晶硅柵極和第一側(cè)壁層為掩膜對具有第一阱的第一半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成第一源漏極；

去除所述第一柵氧化層、第一多晶硅柵極和第一側(cè)壁層；

在所述第一半導(dǎo)體襯底的表面依次沉積第二柵氧化層和第二半導(dǎo)體襯底；

在所述第二半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行第二阱注入；

在具有第二阱的第二半導(dǎo)體襯底表面依次形成第三柵氧化層和第二多晶硅柵極，并在所述第二多晶硅柵極的兩側(cè)形成第二側(cè)壁層；

以第二多晶硅柵極和第二側(cè)壁層為掩膜對具有第二阱的第二半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，形成第二源漏極；

分別將第一源極和第二源極電性連接，將第一漏極和第二漏極電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成第二源漏極之后，分別將第一源極和第二源極電性連接，將第一漏極和第二漏極電性連接之前，該方法還包括對第一源漏極和第二源漏極退火的步驟。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阱和第二阱的離子注入類型相同；所述第一源漏極和第二源漏極的離子注入類型相同。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體管為PMOS管，則第一阱和第二阱的離子注入類型為N型；第一源漏極和第二源漏極的離子注入類型為P型。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體管為NMOS管，則第一阱和第二阱的離子注入類型為P型；第一源漏極和第二源漏極的離子注入類型為N型。

6.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述第一源漏極和第二源漏極的離子注入劑量相同。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體襯底的厚度為50～200納米。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述分別將第一源極和第二源極電性連接，將第一漏極和第二漏極電性連接的方法為：在第二源極表面刻蝕連接孔至顯露出第一源極，在所述連接孔內(nèi)填充金屬；同時在第二漏極表面刻蝕連接孔至顯露出第一漏極，在所述連接孔內(nèi)填充金屬。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體襯底或者第二半導(dǎo)體襯底包括：單晶硅、多晶硅、碳化硅或者硅鍺化合物。

10.一種金屬氧化物半導(dǎo)體管，其特征在于，該金屬氧化物半導(dǎo)體管包括自下而上排列的第一半導(dǎo)體襯底、第二柵氧化層和第二半導(dǎo)體襯底；

其中，第一半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有第一阱和位于第一阱內(nèi)的第一源漏極；第二半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有第二阱和位于第二阱內(nèi)的第二源漏極，所述第二半導(dǎo)體襯底表面，位于第二源漏極的正上方，依次形成有第三柵氧化層和第二多晶硅柵極，并在所述第二多晶硅柵極的兩側(cè)形成有第二側(cè)壁層；

第一源極和第二源極電性連接，第一漏極和第二漏極電性連接。