[發明專利]一種陶瓷膜的疏水改性方法及其應用、裝置有效
| 申請號: | 201110377133.7 | 申請日: | 2011-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN102423641A | 公開(公告)日: | 2012-04-25 |
| 發明(設計)人: | 楊座國;劉典 | 申請(專利權)人: | 華東理工大學 |
| 主分類號: | B01D67/00 | 分類號: | B01D67/00;B01D71/02;B01D61/36 |
| 代理公司: | 上海三和萬國知識產權代理事務所 31230 | 代理人: | 朱小晶 |
| 地址: | 200237 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陶瓷膜 疏水 改性 方法 及其 應用 裝置 | ||
1.一種陶瓷膜的疏水改性方法,其特征在于,具體步驟為:
(1)有機前軀體的選取:選取含氟硅烷,或者氨基硅油或含氯硅烷作為有機前軀體;
(2)改性溶液的制備:將選定的有機前軀體1.0~2mol/L溶于環己烷中,室溫條件下攪拌,其中,攪拌速率為100~20000轉/分鐘,11~13小時制得改性溶液或將有機前軀體配制成水乳液;
(3)Al2O3陶瓷膜進行前處理:在3mol/L的NaOH溶液中浸泡8~12min后,用氯仿和去離子水洗凈,置于140~160℃烘箱中0.75~1.25h,后冷卻至室溫;
(4)Al2O3陶瓷膜的表面接枝反應:將前處理好的Al2O3陶瓷膜浸泡于有機改性溶液中22~26h;化學改性反應發生在R4-nSiX(X=F,NR2,Cl,OCH3,OC2H5)的高活性中心和氧化物膜表面的羥基基團之間,從而氧化物膜表面形成M-O-Si(M代表金屬)化學鍵,使其表面形成疏水層;
(5)改性Al2O3陶瓷膜的熱處理:將改性Al2O3陶瓷膜表面的改性溶液用去離子水洗凈,置于95~105℃烘箱中11~13h;得到疏水改性后的陶瓷膜。
2.如權利要求1所述的一種陶瓷膜的疏水改性方法,其特征在于,所述的含氟硅烷為FAS(C8F17C2H4Si(OEt)3或者C6F13C2H4Si(OMe)4))。
3.如權利要求1所述的一種陶瓷膜的疏水改性方法,其特征在于,所述的含氯硅烷為二甲基二氯硅烷((CH3)2SiCl2)。
4.如權利要求1所述的一種陶瓷膜在膜蒸餾中的應用。
5.一種陶瓷膜蒸餾裝置,其包含儲液槽,輸液泵,通過轉子流量計和壓力表,其特征在于,溫水浴加熱的的儲液槽中的料液經輸液泵,通過轉子流量計,壓力表,溫度計到達裝有改性陶瓷膜的膜組件;真空泵開啟后,一部分被蒸發的料液透過陶瓷膜的微孔,由真空泵抽取進入蛇形冷凝管8,冷卻后進入收集瓶;另一部分料液由膜組件流出,回到儲液槽中,使儲液槽內料液變濃。
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