[發(fā)明專利]SiGe HBT工藝中的自隔離型寄生PNP器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110377076.2
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN103137471A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 韓峰;劉冬華;段文婷;錢文生;胡君;石晶
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/265
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 31211
• 代理人: 孫大為

1.一種SiGe?HBT工藝中的自隔離型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、采用深阱注入與襯底隔離以減小集電區(qū)漏電流；

步驟二、制作N型和P型贗埋層和摻雜集電區(qū)，在淺槽隔離底部高劑量、低能量地注入硼離子或磷離子雜質(zhì)，經(jīng)過熱處理后雜質(zhì)的擴散，形成N和P型贗埋層；

步驟三、利用P型襯底形成P型集電區(qū)，由P型贗埋層通過深接觸孔引出；

步驟四、硅鍺異質(zhì)結雙極晶體管SiGe?HBT集電區(qū)形成N型基區(qū)，由N型贗埋層通過深接觸孔引出；

步驟五、利用硅鍺異質(zhì)結雙極晶體管SiGe?HBT外延P型硅鍺異質(zhì)結雙極晶體管SiGe基區(qū)形成發(fā)射區(qū)，并由硅鍺異質(zhì)結雙極晶體管SiGe?HBT基區(qū)引出。

2.如權利要求1所述的SiGe?HBT工藝中的自隔離型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，

步驟一中深阱注入雜質(zhì)為磷，注入劑量為1e¹⁴～5e¹⁵cm^-2，注入能量為500kev～3000kev；P阱注入雜質(zhì)為硼，注入劑量為1e¹²～5e¹³，注入能量為200kev～500kev。

3.如權利要求1所述的SiGe?HBT工藝中的自隔離型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，

步驟二中N型和P型贗埋層，PBL通過1e¹⁴～1e¹⁶cm^-2高劑量、小于15keV低能量的P型注入，注入的雜質(zhì)為硼或氟化硼，作為P型集電區(qū)的連接；NBL通過1e¹⁴～1e¹⁶cm^-2高劑量、小于15keV低能量的N型注入，注入的雜質(zhì)為磷，作為N型基區(qū)的連接。

4.如權利要求1所述的SiGe?HBT工藝中的自隔離型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，

步驟三中集電區(qū)和基區(qū)：P型集電區(qū)利用P型襯底形成；N型基區(qū)由硅鍺異質(zhì)結雙極晶體管SiGe?HBT集電區(qū)形成，注入的雜質(zhì)為N型的磷或砷，注入劑量為5e¹¹～5e¹³，注入能量為50kev～500kev。

5.如權利要求1所述的SiGe?HBT工藝中的自隔離型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，

步驟四中發(fā)射區(qū)：由硅鍺異質(zhì)結雙極晶體管SiGe?HBT外延P型SiGe基區(qū)形成，注入雜質(zhì)為硼或氟化硼，注入劑量為5e¹¹～5e¹³，注入能量為50kev～500kev。

6.如權利要求1所述的SiGe?HBT工藝中的自隔離型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，

步驟五中集電區(qū)、基區(qū)和發(fā)射區(qū)引出：集電區(qū)和基區(qū)由深接觸孔引出，發(fā)射區(qū)通過硅鍺異質(zhì)結雙極晶體管SiGe?HBT基區(qū)引出。