[發明專利]硅基GaN薄膜的制造方法

有效

• 申請號: 201110377023.0
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN103137434A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 張帥;劉坤
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王江富

1.一種硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

一.在硅襯底背面形成帶圖形的光刻膠或硬掩模版；

二.利用帶圖形的光刻膠或硬掩模版作為刻蝕阻擋層，在硅襯底背面刻蝕出溝槽；

三.將所述光刻膠或硬掩模版去除；

四.在硅襯底正面上生長GaN薄膜。

2.根據權利要求1所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，

在步驟三之后，在溝槽中填充或生長加強薄膜，然后再進行步驟四。

3.根據權利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，

步驟二中，利用干法刻蝕出溝槽。

4.根據權利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，

溝槽底部拐角處為弧形。

5.根據權利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，

溝槽的深度在硅襯底厚度的1/20～1/2之間。

6.根據權利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，

溝槽的形狀是周期性排列的條形、方形、環形、或六邊形。

7.根據權利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，

各溝槽的寬度相等或不相等，各溝槽間的間隔寬度相等或不相等；

8.根據權利要求1或2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，

溝槽的寬度在1um～20um之間，各溝槽間的間隔寬度在2um～50um之間。

9.根據權利要求2所述的硅基GaN薄膜的制造方法，其特征在于，

在溝槽中填充的加強薄膜是二氧化硅、多晶硅或多孔硅。