[發明專利]一種半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 201110376940.7 | 申請日： | 2011-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN103137451A | 公開（公告）日： | 2013-06-05 |
| 發明（設計）人： | 李鳳蓮;韓秋華;劉暢 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;顧珊 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，包括：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成有柵極結構，且在所述柵極結構兩側形成有間隙壁結構；
在所述半導體襯底的源/漏區部分形成嵌入式鍺硅層；
形成一自對準硅化物阻擋層，以覆蓋所述柵極結構；
蝕刻所述自對準硅化物阻擋層，以露出所述嵌入式鍺硅層；
在所述嵌入式鍺硅層上形成一自對準硅化物。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述嵌入式鍺硅層的工藝步驟包括：采用先干法蝕刻再濕法蝕刻的工藝在所述半導體襯底的源/漏區部分形成∑狀凹槽；然后，采用外延生長工藝在所述∑狀凹槽中形成嵌入式鍺硅層。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述自對準硅化物阻擋層由自下而上依次層疊的氧化物層和氮化硅層組成。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述氧化物層的厚度為50-100埃。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為80-150埃。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述自對準硅化物阻擋層由自下而上依次層疊的氧化物層和氮氧化硅層組成。
7.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，采用先干法蝕刻再濕法蝕刻的工藝蝕刻所述自對準硅化物阻擋層。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述干法蝕刻直到露出所述嵌入式鍺硅層上方的所述自對準硅化物阻擋層中下層的氧化物層為止。
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述干法蝕刻終止后，所述間隙壁結構上殘留的所述自對準硅化物阻擋層中上層的氮化硅層的厚度為20-40埃。
10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述濕法蝕刻去除暴露出來的所述自對準硅化物阻擋層中下層的氧化物層。
11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結構包括依次層疊的柵極介電層、柵極材料層和柵極硬掩蔽層。
12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，在所述自對準硅化物形成之后，還包括：去除所述柵極結構的柵極硬掩蔽層，以露出下方的柵極材料層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
