[發明專利]相變材料的制備方法

無效

• 申請號: 201110376922.9
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN102386327A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 宋志棠;夏夢姣;饒峰;劉波;封松林
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種相變材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成非晶Si-Sb_xTe_1-x材料層，其中0.1≤x≤0.9；

在所述非晶Si-Sb_xTe_1-x復合材料的結晶溫度之上，對所述Si-Sb_xTe_1-x層執行第一次退火工藝，使得其中的非晶Si和Sb_xTe_1-x晶體形成分相；

將退火后分相的非晶Si與Sb_xTe_1-x晶體的復合材料置于氫氣氛中執行第二次退火工藝，使其中的非晶Si轉變為微晶Si以形成微晶Si-Sb_xTe_1-x復合相變材料；

對所述微晶Si-Sb_xTe_1-x復合相變材料執行加熱退火脫氫工藝。

2.根據權利要求1所述的相變材料的制備方法，其特征在于，形成所述非晶Si-Sb_xTe_1-x材料層的方法為物理氣相沉積PVD工藝。

3.根據權利要求1所述的相變材料的制備方法，其特征在于，對所述Si-Sb_xTe_1-x層執行第一次退火工藝包括：將所述Si-Sb_xTe_1-x層置于氮氣氛中，退火溫度為250攝氏度至450攝氏度，退火時間為3分鐘至5分鐘。

4.根據權利要求1或3所述的相變材料的制備方法，其特征在于，將退火后分相的所述Si-Sb_xTe_1-x材料至于氫氣氛中執行第二次退火工藝包括：退火溫度為200攝氏度至500攝氏度，退火時間為10分鐘至30分鐘。

5.根據權利要求1所述的相變材料的制備方法，其特征在于，所述加熱退火脫氫工藝包括：將所述微晶Si-Sb_xTe_1-x復合相變材料在300攝氏度至600攝氏度的退火溫度下保溫10分鐘至30分鐘脫氫。

6.根據權利要求1所述的相變材料的制備方法，其特征在于，所述微晶Si的晶粒尺寸為3納米至20納米。