[發(fā)明專利]一種可直接連接在交流電上的LED芯片組

有效

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• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN102412242A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設計）人: 俞國宏
• 申請（專利權）人: 俞國宏
• 主分類號: H01L25/03
• 分類號: H01L25/03;H01L27/15
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種可直接連接在交流電上的LED芯片組，其特征在于：至少包括兩枚集成電阻發(fā)光二極管芯片，所述兩枚集成電阻發(fā)光二極管芯片并聯(lián)在交流電正負極，每一枚集成電阻發(fā)光二極管芯片包括第一半導體電阻（R1）和第二半導體電阻（R2），在所述第一半導體電阻（R1）和所述第二半導體電阻（R2）之間串聯(lián)有多個發(fā)光二極管（L1、L2、L3），所述多個發(fā)光二極管（L1、L2、L3）的PN結走向相同，根據(jù)二極管正向導通原理兩枚集成電阻發(fā)光二極管芯片在交流電作用下交替發(fā)光。

2.根據(jù)權利要求1所述可直接連接在交流電上的LED芯片組，其特征在于：一枚集成電阻發(fā)光二極管芯片的第一半導體電阻（R1）和另一枚集成電阻發(fā)光二極管芯片的第二半導體電阻（R2）的連接端與交流電正極或負極直接連接。

3.根據(jù)權利要求2所述可直接連接在交流電上的LED芯片組，其特征在于：所述第一半導體電阻（R1）、所述第二半導體電阻（R2）以及所述多個發(fā)光二極管除了共用一襯底（1）層外分別由獨立的緩沖層（2）、N型層（3）、N型分別限制層（4）、有源區(qū)結構（5）、P型分別限制層（6）、P型層（7）、P型歐姆接觸層（8）以及P型金屬歐姆接觸層（9）由下至上組合而成；相鄰兩個發(fā)光二極管通過N型層（3）電極與P型金屬歐姆接觸層（9）電極連接實現(xiàn)串聯(lián)；所述第一半導體電阻（R1）和所述第二半導體電阻（R2）分別都設有兩個接觸電極，所述第一半導體電阻（R1）或所述第二半導體電阻（R2）的一個接觸電極與電源的正極或負極連接，另外一個接觸電極與相鄰發(fā)光二極管的N型層（3）或P型金屬歐姆接觸層（9）連接。

4.根據(jù)權利要求3所述可直接連接在交流電上的LED芯片組，其特征在于：所述第一半導體電阻（R1）、所述第二半導體電阻（R2）以及多個發(fā)光二極管的外表都包裹一層絕緣介質膜（13），但多個發(fā)光二極管的N型層（3）電極、多個發(fā)光二極管的P型金屬歐姆接觸層（9）電極以及所述第一半導體電阻（R1）和所述第二半導體電阻（R2）的各自兩個接觸電極上方的絕緣介質膜（13）都去除。

5.根據(jù)權利要求1至4任何一項所述可直接連接在交流電上的LED芯片組，其特征在于：所述第一半導體電阻（R1）的P型金屬歐姆接觸層（9）被P型金屬歐姆接觸層第一隔離缺口（17）分離成兩個接觸電極。

6.根據(jù)權利要求1至5中任何一項所述可直接連接在交流電上的LED芯片組，其特征在于：所述第二半導體電阻（R2）P型金屬歐姆接觸層（9）被P型金屬歐姆接觸層第二隔離缺口（18）分離成兩個接觸電極。

7.根據(jù)權利要求6所述可直接連接在交流電上的LED芯片組，其特征在于：所述發(fā)光二極管為三個：第一發(fā)光二極管（L1）、第二發(fā)光二極管（L2）和第三發(fā)光二極管（L3）；其中，第一發(fā)光二極管（L1）的P型金屬歐姆接觸層（9）電極通過PP結電極連接金屬層（162）與第一半導體電阻（R1）的右側接觸電極連接，第一發(fā)光二極管（L1）的N型層（3）電極通過第一PN結電極連接金屬層（163）與第二發(fā)光二極管（L2）的P型金屬歐姆接觸層（9）電極連接；第二發(fā)光二極管（L2）的N型層（3）電極通過第二PN結電極連接金屬層（164）與第三發(fā)光二極管（L3）的P型金屬歐姆接觸層（9）電極連接；第三發(fā)光二極管（L3）的N型層（3）電極通過第三PN結電極連接金屬層（165）與第二半導體電阻（R2）的左側接觸電極連接。

8.根據(jù)權利要求7所述可直接連接在交流電上的LED芯片組，其特征在于：所述絕緣介質膜（13）的厚度在150nm-450nm之間。

9.根據(jù)權利要求8所述可直接連接在交流電上的LED芯片組，其特征在于：所述襯底（1）的材質為藍寶石、碳化硅或GaN。