[發明專利]第III族氮化物半導體發光器件

有效

• 申請號: 201110375547.6
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN102479900A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 奧野浩司
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國

1.一種通過在藍寶石襯底的表面上形成條紋圖案凹凸、以及通過在所述凹凸的凹陷或臺面的側表面上生長第III族氮化物半導體晶體以在所述襯底上形成層狀結構來制造第III族氮化物半導體發光器件的方法，所述層狀結構包括其主表面為非極性面或半極性面的第III族氮化物半導體層，所述方法包括：

在藍寶石襯底的表面上形成第一條紋圖案凹凸，其包括從上面觀察時設置為條紋圖案并平行于第一方向對齊的多個第一凹槽，所述第一方向與所述藍寶石襯底的主表面平行；

在所述藍寶石襯底的所述表面上的所述第一條紋圖案凹凸的整個表面上形成絕緣膜；

在所述絕緣膜上形成條紋圖案抗蝕劑掩模，使得所述條紋沿第二方向對齊，所述第二方向相對于所述第一方向傾斜特定角度；

通過干蝕刻所述絕緣膜的未覆蓋有所述抗蝕劑掩模的區域中的部分形成第二條紋圖案凹凸，并然后干蝕刻所述藍寶石襯底的由此暴露的部分直至由此蝕刻的部分的下表面變得平坦；

以及通過移除所述抗蝕劑掩模和通過MOCVD在通過形成所述第二條圖案凹凸已暴露并垂直于所述藍寶石襯底的所述主表面的表面上生長第III族氮化物半導體晶體，使得晶體生長沿垂直于所述暴露的表面的方向進行，形成其主表面為非極性面或半極性面的第III族氮化物半導體層。

2.根據權利要求1所述的制造第III族氮化物半導體發光器件的方法，其中所述第一方向與所述第二方向正交。

3.根據權利要求1所述的制造第III族氮化物半導體發光器件的方法，其中所述第二凹槽的側表面沿所述第二方向連續地形成。

4.根據權利要求2所述的制造第III族氮化物半導體發光器件的方法，其中所述第二凹槽的側表面沿所述第二方向連續地形成。

5.根據權利要求1所述的制造第III族氮化物半導體發光器件的方法，其中所述非極性面為m-面、a-面或(11-24)面，所述半極性面為(11-22)面、(20-21)面、(10-11)面或(10-12)面。

6.根據權利要求2所述的制造第III族氮化物半導體發光器件的方法，其中所述非極性面為m-面、a-面或(11-24)面，所述半極性面為(11-22)面、(20-21)面、(100-11)面或(10-12)面。

7.根據權利要求3所述的制造第III族氮化物半導體發光器件的方法，其中所述非極性面為m-面、a-面或(11-24)面，所述半極性面為(11-22)面、(20-21)面、(10-11)面或(10-12)面。

8.根據權利要求4所述的制造第III族氮化物半導體發光器件的方法，其中所述非極性面為m-面、a-面或(11-24)面，所述半極性面為(11-22)面、(20-21)面、(10-11)面或(10-12)面。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的制造第III族氮化物半導體發光器件的方法，其中所述藍寶石襯底具有a-面主表面，所述第一方向為所述藍寶石襯底的c-軸方向。