[發明專利]分割線中的材料結構和分離芯片的方法

有效

• 申請號: 201110375520.7
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN102543869A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: T.菲舍爾;H.奧波爾卡
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;李家麟

1.一種用于制造芯片的方法，包括：

在晶片上與所述芯片相鄰的切口中形成材料結構；

選擇性地移除所述切口中的所述材料結構；以及

對所述晶片進行劃片。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述材料結構被布置為與所述芯片的長邊和/或短邊直接相鄰。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在移除所述切口中的所述材料結構之前在所述切口中形成測試結構。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述材料結構包括第一金屬，其中所述測試結構包括第二金屬，以及其中所述第一金屬和所述第二金屬是相同的金屬。

5.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地移除所述材料結構包括在所述芯片上形成掩模以及刻蝕所述切口中的所述材料結構。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述掩模包括光刻膠、氮化硅、氧化硅、氧氮化硅或碳。

7.根據權利要求5所述的方法，其中刻蝕包括施加一系列刻蝕化學物質。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述刻蝕化學物質選自由稀釋的氫氟酸（HF）、稀釋的氨過氧化物混合物和稀釋的磷過氧化物混合物組成的組。

9.一種用于制造半導體芯片的方法，所述方法包括：

在與半導體晶片上的每個半導體芯片的邊鄰接的分割線中形成金屬結構；

選擇性地移除所述金屬結構；以及

在所述分割線中切割所述半導體晶片，由此使所述半導體芯片單體化。

10.根據權利要求9所述的方法，進一步包括在移除所述分割線中的所述材料結構之前在所述分割線中形成金屬測試結構。

11.根據權利要求10所述的方法，其中移除所述金屬結構包括在所述半導體芯片上形成掩模以及刻蝕所述金屬結構和所述金屬測試結構。

12.根據權利要求11所述的方法，其中刻蝕所述金屬結構和所述金屬測試結構包括順序地刻蝕所述金屬結構和所述金屬測試結構。

13.根據權利要求12所述的方法，其中順序地刻蝕包括首先施加稀釋的HF或稀釋的磷過氧化物混合物并且隨后施加稀釋的氨過氧化物混合物。

14.根據權利要求11所述的方法，其中刻蝕包括施加稀釋的HF、稀釋的氨過氧化物混合物或者稀釋的磷過氧化物混合物中的至少一種。

15.根據權利要求11所述的方法，其中所述掩模包括光刻膠、氮化硅、氧化硅、氧氮化硅或碳。

16.一種半導體晶片，包括：

多個芯片；以及

多個切口，所述切口使所述芯片彼此分離，

其中至少一個切口包括切口框，以及其中所述切口框被布置為與至少一個芯片的邊直接相鄰。

17.根據權利要求16所述的半導體晶片，其中所述至少一個切口進一步包括測試結構。

18.根據權利要求17所述的半導體晶片，其中所述切口框和所述測試結構包括金屬。

19.根據權利要求17所述的半導體晶片，其中所述測試結構包括工藝控制監控器或者可靠性控制監控器。

20.根據權利要求16所述的半導體晶片，其中所述多個芯片包括邏輯芯片或存儲器芯片。