[發明專利]一種集成電阻的發光二極管芯片制作方法

有效

• 申請號: 201110375441.6
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN102403424A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 俞國宏
• 申請（專利權）人: 俞國宏
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種集成電阻的發光二極管芯片制作方法，發光二極管芯片從下至上依次為襯底（1）、緩沖層（2）、N型層（3）、N型分別限制層（4）、有源區層（5）、P型分別限制層（6）、P型層（7）以及P型歐姆接觸層（8），包括以下制作步驟：

步驟1：在P型歐姆接觸層（8）表面上方形成P型金屬歐姆接觸層（9）；

步驟2：將發光二極管芯片分割出多個獨立單元，其中在發光二極管芯片兩個端部的單元成為半導體電阻形成區；

步驟3：將其余多個獨立單元形成多個發光二極管形成區；

步驟4：通過絕緣介質膜（13）將在發光二極管芯片上形成左側半導體電阻（R1）、右側半導體電阻（R2）和多個發光二極管（L1、L2、L3）;

步驟5：將左側半導體電阻（R1）、多個發光二極管以及右側半導體電阻（R2）的各個電極通過金屬合金層（16）進行串聯連接。

2.根據權利要求1所述集成電阻的發光二極管芯片制作方法，其特征在于：步驟1通過蒸鍍或濺射工藝，在P型歐姆接觸層（8）表面形成一層或多層P型金屬歐姆接觸層（9）。

3.根據權利要求1或2所述集成電阻的發光二極管芯片制作方法，其特征在于：步驟2中包括以下具體分步驟：

步驟21：在P型金屬歐姆接觸層（9）表面上方形成第一光刻膠層（10）；

步驟22：去除部分第一光刻膠層（10），保留的多塊第一光刻膠層（10）用于制作半導體電阻形成區或發光二極管形成區；

步驟23：將暴露的P型材料、有源區以及部分N型材料進行去除；

步驟24：去除剩下所有的第一光刻膠層（10）；

步驟25：對步驟24所得到的發光二極管芯片表面上方形成第二光刻膠層（11）；

步驟26：將半導體電阻形成區獨立單元上方的第二光刻膠層（11）進行部分去除，形成缺口；

步驟27：對缺口下方的P型金屬歐姆接觸層（9）進行完整去除，形成P型金屬歐姆接觸層第一隔離缺口（17）和P型金屬歐姆接觸層第二隔離缺口（18）；

步驟28：去除所有剩余的第二光刻膠層（11）。

4.根據權利要求3所述集成電阻的發光二極管芯片制作方法，其特征在于：步驟3中包括以下具體分步驟：

步驟31：在步驟28中得到的發光二極管芯片表面上方形成第三光刻膠層（12）；

步驟32：去除部分第三光刻膠層（12），保留半導體電阻形成區最上方的第三光刻膠層（12），保留多個發光二極管芯片形成區最上方和右側的第三光刻膠層（12），但發光二極管芯片形成區右側的第三光刻膠層（12）與另外一個的發光二極管芯片形成區或右側半導體電阻形成區存在刻蝕缺口（121）；

步驟33：將未覆蓋第三光刻膠層（12）的暴露部分進行刻蝕去除所有緩沖層（2）和N型層（3）；

步驟34：去除所有剩余的第三光刻膠層（12）。

5.根據權利要求4所述集成電阻的發光二極管芯片制作方法，其特征在于：步驟4中包括以下具體分步驟：

步驟41：在步驟34中得到的發光二極管芯片表面上方形成絕緣介質膜（13）；

步驟42：在絕緣介質膜（13）表面上方形成第四光刻膠層（14）；

步驟43：去除部分第四光刻膠層（14）在兩個半導體電阻的電極形成區和多個發光二級管的電極形成區上形成的多個缺口；

步驟44：將步驟43中多個缺口下方的絕緣介質膜（13）去除；

步驟45：去除剩余所有的第四光刻膠層（14）。