[發明專利]鐵電薄膜及使用該鐵電薄膜的薄膜電容器

有效

• 申請號: 201110375437.X
• 申請日: 2011-11-23
• 公開（公告）號: CN103130502A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 野口毅;櫻井英章;藤井順;渡邊敏昭;曽山信幸
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C04B35/49
• 分類號: C04B35/49;C04B35/491;C04B35/622
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

1.一種鐵電薄膜，其采取如下形態，即由選自Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs中的1種或2種以上元素構成的金屬氧化物B混合在由通式：(Pb_xLa_y)(Zr_zTi_(1-z))O₃所示的復合金屬氧化物A中的混合復合金屬氧化物的形態，式中，0.9＜x＜1.3，0≤y＜0.1，0≤z＜0.9，金屬氧化物B與復合金屬氧化物A的摩爾比B/A為0≤B/A＜0.1，其特征在于，

層疊2～23層的燒成層而構成，

所述燒成層的厚度t為45～500nm，

所述燒成層中存在的晶粒的定方向最大徑的平均x為200～5000nm，

所述燒成層均滿足1.5t＜x＜23t的關系。

2.一種薄膜電容器，其使用權利要求1所述的鐵電薄膜。

3.一種具有權利要求1所述的鐵電薄膜的薄膜電容器、電容器、集成無源器件、DRAM存儲用電容器、層疊電容器、晶體管的柵極絕緣體、非易失性存儲器、熱釋電型紅外線檢測元件、壓電元件、電光元件、執行器、諧振器、超聲波馬達或LC噪聲濾波器元件的復合電子零件。

4.一種權利要求3所述的與100MHz以上的頻帶對應的具有鐵電薄膜的薄膜電容器、電容器、集成無源器件、DRAM存儲用電容器、層疊電容器、晶體管的柵極絕緣體、非易失性存儲器、熱釋電型紅外線檢測元件、壓電元件、電光元件、執行器、諧振器、超聲波馬達或LC噪聲濾波器元件的復合電子零件。