[發明專利]高強度碳化硅多孔陶瓷的制備方法有效
| 申請號： | 201110375104.7 | 申請日： | 2011-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN102503521A | 公開（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發明（設計）人： | 郭興忠;楊輝;朱林;張玲潔;鄭志榮;高黎華 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C04B38/00 | 分類號： | C04B38/00 |
| 代理公司： | 杭州中成專利事務所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 強度 碳化硅 多孔 陶瓷 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.高強度碳化硅多孔陶瓷的制備方法，其特征是：以重量百分含量為98％～99％的由α-碳化硅粉體和β-碳化硅粉體組成的混合物、0.1％～1.0％的二硼化鋁以及0.5％～1％的聚碳硅烷組成原料，依次包括以下步驟：
1)、將上述原料加入到有機分散溶劑中，球磨混合后，在35～45℃進行干燥22～26小時，得到碳化硅復合粉體；
2)、將上述碳化硅復合粉體于45～55MPa下進行干壓成型，獲得碳化硅坯體；
3)、將上述碳化硅坯體放入真空無壓燒結爐中，進行兩步燒結，得到高強度碳化硅多孔陶瓷。
2.根據權利要求1所述的高強度碳化硅多孔陶瓷的制備方法，其特征是：所述由α-碳化硅粉體和β-碳化硅粉體組成的混合物中，α-碳化硅粉體的重量含量為50％～90％，β-碳化硅粉體的重量含量為10％～50％。
3.根據權利要求2所述的高強度碳化硅多孔陶瓷的制備方法，其特征是：所述兩步燒結為：先升溫至1450～1500℃真空脫氣3～5小時，然后升溫至2150～2250℃于氬氣保護下燒結30～60分鐘。
4.根據權利要求3所述的高強度碳化硅多孔陶瓷的制備方法，其特征是：所述有機分散溶劑為由乙醇、二甲苯和正己烷組成的混合溶劑。
5.根據權利要求4所述的高強度碳化硅多孔陶瓷的制備方法，其特征是：所述步驟1)的球磨混合時間為24～28小時。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江大學，未經浙江大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110375104.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
