[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110375028.X
• 申請日: 2007-11-20
• 公開（公告）號: CN102437130A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 池田靖;岡本正英
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/48;H01L21/60;C22C18/04
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種半導體裝置，具有：第一部件、第二部件以及將所述第一部件和所述第二部件接合的連接材料，其特征在于，

所述連接材料具有：

Al系層，

在所述Al系層和所述第一部件之間設置的第一Zn-Al系層，

在所述Al系層和所述第二部件之間設置的第二Zn-Al系層。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述Al系層的Al含有率為99～100wt.％。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：所述Al系層的0.2％屈服強度為30N/mm²以下。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述Zn系合金層的Al含有率為不到0.01wt.％。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

所述連接材料具有第一面和相反的第二面，

所述連接材料的第一面的第一Zn-Al系層與所述第一部件連接，同時，與所述第一部件連接的區域的相反的區域的所述第二Zn-Al系層與所述第二部件連接。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述第一部件為半導體元件。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于：所述第二部件為基板、框架、金屬罩、引線中的任一種。

8.一種半導體裝置的制造方法，所述半導體裝置通過連接材料將第一部件和第二部件相接合，其特征在于：

具有

在所述第一部件和所述第二部件之間設置連接材料的設置工序，以及

在所述設置工序后通過加熱處理將所述第一部件和所述第二部件相連接的連接工序；

在所述連接工序后，所述連接材料具有Al系層、在所述Al系層的兩面上設置的第一和第二Zn-Al系層。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在所述連接工序前，所述連接材料具有Al系層、在所述Al系層的兩面上設置的第一和第二Zn系層。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：在所述連接工序中，Al系層與第一或者第二Zn系層熔融形成第一或者第二Zn-Al系層，同時，所述Al系層的一部分不進行所述熔融，而作為Al系層殘留。

11.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述Al系層的Al含有率為99～100wt.％。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述Al系層的0.2％屈服強度為30N/mm²以下。

13.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述第一和第二Zn系層的Zn含有率為90～100wt.％。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述第一和第二Zn系合金層的Al含有率為不到0.01wt.％。

15.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述連接材料是通過將所述第一或者第二Zn系層在所述Al系層的兩面上進行包層壓延或加壓成形來形成的。

16.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述連接材料具有第一面和相反的第二面，

所述連接材料的第一面與所述第一部件連接，同時，與所述第一部件連接的區域的相反的面的區域與所述第二部件連接。

17.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述第一部件為半導體元件。

18.根據權利要求17所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：所述第二部件為基板、框架、金屬罩、引線中的任一種。