[發(fā)明專利]基于MOSFET的自激式Sepic變換器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110374607.2
• 申請日: 2011-11-22
• 公開（公告）號: CN102403895A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳怡;南余榮
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156;H02M1/36
• 代理公司: 杭州天正專利事務(wù)所有限公司 33201
• 代理人: 王兵;王利強

1.一種基于MOSFET的自激式Sepic變換器，其特征在于：包括由輸入電容Ci、電感L1、N型MOSFET?M1、電容C、電感L2、二極管D和電容Co組成的Sepic變換器主回路，輸入電容Ci與直流電壓源Vi并聯(lián)，輸出電容Co兩端電壓為直流輸出電壓Vo，負(fù)載Ro與輸出電容Co并聯(lián)，直流電壓源Vi的正端與電感L1的一端相連，電感L1的另一端與N型MOSFET?M1的漏極以及電容C的一端相連，N型MOSFET?M1的源極與電阻R3的一端相連，電阻R3的另一端與直流電壓源Vi的負(fù)端以及直流輸出電壓Vo的負(fù)端相連，電容C的另一端與二極管D的陽極以及電感L2的一端相連，電感L2的另一端與直流電壓源Vi的負(fù)端相連，二極管D的陰極與輸出電壓Vo的正端相連；

所述基于MOSFET的自激式Sepic變換器還包括輔助電源U1、驅(qū)動電路U2和滯環(huán)比較器U3，輔助電源U1用于提供驅(qū)動電路U2和滯環(huán)比較器U3工作所需的直流電源電壓，對直流輸入電壓Vi進行升壓或降壓的變換處理；驅(qū)動電路U2的輸入端與滯環(huán)比較器U3的輸出端連接，驅(qū)動電路U2的輸出端與N型MOSFET?M1的門極相連，驅(qū)動電路U2為N型MOSFET?M1的開通和關(guān)斷提供驅(qū)動；滯環(huán)比較器U3的輸入端與電容C1、電阻R1和電阻R2的一端相連，電容C1的另一端與直流電壓源Vi的負(fù)端相連，電阻R1的另一端與二極管D1的陰極相連，電阻R2的另一端與二極管D2的陽極相連，二極管D1的陽極和二極管D2的陰極與N型MOSFET?M1的漏極相連。

2.如權(quán)利要求1所述基于MOSFET的自激式Sepic變換器，其特征在于：所述基于MOSFET的自激式Sepic變換器還包括過流保護支路，所述過流保護支路包括電阻R5、電容C2和NPN型BJT?Q1，電阻R5的一端與N型MOSFET?M1的源極相連，電阻R5的另一端與電容C2的一端以及NPN型BJT?Q1的基極相連，電容C2的另一端與NPN型BJT?Q1的發(fā)射極以及直流電壓源Vi的負(fù)端相連，NPN型BJT?Q1的集電極與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連。

3.如權(quán)利要求1或2所述基于MOSFET的自激式Sepic變換器，其特征在于：所述基于MOSFET的自激式Sepic變換器還包括電壓反饋支路，所述電壓反饋支路包括電阻R6、電容C3、電阻R7、NPN型BJT?Q2和電阻R4，電阻R6和電容C3組成并聯(lián)支路，所述并聯(lián)支路的一端與直流輸出電壓Vo的正端相連，所述并聯(lián)支路的另一端與電阻R7的一端以及NPN型BJT?Q2的基極相連，NPN型BJT?Q2的發(fā)射極與電阻R7的另一端以及直流電壓源Vi的負(fù)端相連，NPN型BJTQ2的集電極通過電阻R4與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連。

4.如權(quán)利要求1或2所述基于MOSFET的自激式Sepic變換器，其特征在于：所述基于MOSFET的自激式Sepic變換器還包括電流反饋支路，所述電流反饋支路包括檢測電阻R8、電壓放大器U4、電阻R6、電容C3、電阻R7、NPN型BJT?Q2和電阻R4，檢測電阻R8與負(fù)載Ro組成串聯(lián)支路，所述串聯(lián)支路與輸出電容Co并聯(lián)，檢測電阻R8的一端與直流電壓源Vi的負(fù)端相連，檢測電阻R8的另一端與負(fù)載Ro的一端以及電壓放大器U4的輸入端相連，電阻R6和電容C3組成并聯(lián)支路，所述并聯(lián)支路的一端與電壓放大器U4的輸出端相連，所述并聯(lián)支路的另一端與電阻R7的一端以及NPN型BJT?Q2的基極相連，NPN型BJT?Q2的發(fā)射極與電阻R7的另一端以及直流電壓源Vi的負(fù)端相連，NPN型BJT?Q2的集電極通過電阻R4與滯環(huán)比較器U3的輸入端相連。