[發明專利]FinFET器件的制造方法及結構無效
| 申請號： | 201110374595.3 | 申請日： | 2011-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN103137478A | 公開（公告）日： | 2013-06-05 |
| 發明（設計）人： | 趙猛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | finfet 器件 制造 方法 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種FinFET器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供硅襯底，在所述硅襯底上形成應變硅層；
圖案化所述應變硅層，形成源區和漏區以及位于所述源區和漏區之間的沙漏狀的鰭形應變硅溝道區；
形成圍繞在所述沙漏狀的鰭形應變硅溝道區兩側和上方的柵極結構；
以所述柵極結構為掩膜，對所述源區和漏區進行源/漏極離子注入，形成源極和漏極。
2.如權利要求1所述的FinFET器件的制造方法，其特征在于，對所述源區和漏區進行源/漏極離子注入之前或之后，還包括：以所述柵極結構為掩膜，對所述源區和漏區進行輕摻雜源/漏區離子注入，形成輕摻雜源/漏極延伸區。
3.如權利要求1所述的FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述硅襯底為絕緣體上硅襯底或純硅襯底。
4.一種FinFET器件結構，其特征在于，包括：
硅襯底；
位于所述硅體襯底上的源極和漏極；
位于所述源極與漏極之間的沙漏狀的鰭形應變硅溝道區；以及，
圍繞在所述沙漏狀的鰭形應變硅溝道區的兩側及上方的柵極結構。
5.如權利要求5所述的FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述硅襯底為絕緣體上硅襯底或純硅襯底。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
