[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201110374419.X | 申請日: | 2011-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN103137882A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;馮小明;張振華 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;C09K11/06 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發光器件,其包括依次層疊的基底、陽極、發光層及陰極,其特征在于,所述陽極包括依次層疊在所述基底上的第一金屬層、介質層及第二金屬層,所述第一金屬層的材料為鋁、銀、金、鋁銀合金或鎂銀合金,所述第一金屬層的厚度為80nm~150nm,所述介質層的材料為透明導電氧化物,所述介質層的厚度為60nm~100nm,所述第二金屬層的材料為鋁、銀或金,所述第二金屬層的厚度為6nm~12nm。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述介質層的材料為銦摻雜氧化錫、氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鋁摻雜氧化鋅或鎵摻雜氧化鋅。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述陰極的材料為銀、鋁、釤或鐿。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述陰極的厚度為18nm~30nm。
5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述有機電致發光器件還包括依次層疊在所述陽極上的空穴注入層和空穴傳輸層,所述空穴注入層及所述空穴傳輸層位于所述陽極及所述發光層之間,所述空穴注入層的材料為4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺,所述空穴傳輸層的材料為N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-聯苯-4,4′-二胺。
6.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述有機電致發光器件還包括依次層疊在所述發光層上的電子傳輸層和電子注入層,所述電子傳輸層及所述電子注入層位于所述發光層及所述陰極之間,所述電子傳輸層的材料為(8-羥基喹啉)-鋁,所述電子注入層的材料為氟化鋰。
7.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述發光層的材料包括主體和摻雜客體,所述主體為4,4′-N,N-二咔唑基-聯苯,所述摻雜客體為二(4,6-二氟苯基-N,C2)吡啶甲酰合銥,所述摻雜客體的質量百分比為8%。
8.一種有機電致發光器件的制備方法,包括以下步驟:
步驟一、提供基底;
步驟二、在所述基底表面形成第一金屬層,所述第一金屬層的材料為鋁、銀、金、鋁銀合金或鎂銀合金,所述第一金屬層的厚度為80nm~150nm;
步驟三、在所述第一金屬層表面形成介質層,所述介質層的材料為透明導電氧化物,所述介質層的厚度為60nm~100nm;
步驟四、在所述介質層表面形成第二金屬層,所述第二金屬層的材料為鋁、銀或金,所述第二金屬層的厚度為6nm~12nm;
步驟五、在所述第二金屬層表面形成發光層;及
步驟六、在所述發光層表面形成陰極。
9.根據權利要求8所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述介質層的材料為銦摻雜氧化錫、氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鋁摻雜氧化鋅或鎵摻雜氧化鋅。
10.根據權利要求8所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述陰極的材料為銀、鋁、釤或鐿,所述陰極的厚度為18nm~30nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





