[發明專利]基于鈮酸鋰光子線的光定向耦合器

有效

• 申請號: 201110374357.2
• 申請日: 2011-11-22
• 公開（公告）號: CN102508338A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 陳明;劉子晨
• 申請（專利權）人: 西安郵電學院
• 主分類號: G02B6/28
• 分類號: G02B6/28;G02B6/125;G02B6/13
• 代理公司: 西安恒泰知識產權代理事務所 61216
• 代理人: 李鄭建

1.一種基于LN光子線的光定向耦合器，其特征在于，由鈮酸鋰基底、二氧化硅覆層和平行對稱的波導組成，其中，波導的高度為0.73μm，波導的頂部寬度為0.4μm～0.55μm，波導的中心距為0.6μm～0.9μm。

2.如權利要求1所述的基于LN光子線的光定向耦合器，其特征在于，所述的波導的頂部寬度為0.5μm。

3.權利要求1或2所述的基于LN光子線的光定向耦合器的制備方法，其特征在于，該方法首先制作基于絕緣體的鈮酸鋰樣本，樣本包括直接黏附在1.3微米厚的二氧化硅層上的730納米厚的單晶LN層，二氧化硅層是經過用等離子體增強化學氣相沉積法涂敷在全等的Z切鈮酸鋰基底的Z面，即LN薄膜與厚度為0.5mm的LN基底有全等的晶體取向；LN薄膜的表面用化學機械拋光工藝處理后達到0.5納米的rms粗糙度；然后將1.7μm厚和0.5μm寬的光阻條帶用作刻蝕掩膜，光阻在120℃下經過1個小時的退火，接著，在Oxford?PlasmalabSystem100內，用100W射頻功率誘導地耦合成為等離子體，和70W射頻功率耦合至樣本表面，經60分鐘氬銑蝕刻，端面拋光，即得。