[發明專利]防止反濺射物質剝落的靶材及膜層的形成方法無效
| 申請號： | 201110374219.4 | 申請日： | 2011-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN102383100A | 公開（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發明（設計）人： | 姚力軍;相原俊夫;大巖一彥;潘杰;王學澤;鄭文翔 | 申請（專利權）人： | 寧波江豐電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 315400 浙江省寧波市余姚*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防止 濺射 物質 剝落 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種防止反濺射物質剝落的靶材，其特征在于，所述靶材的待濺射表面的邊緣處具有滾花區。
2.如權利要求1所述的靶材，其特征在于，所述滾花區從所述靶材的最外沿往靶材圓心方向延伸，其寬度和所述靶材直徑的比例為1∶25。
3.如權利要求1所述的靶材，其特征在于，滾花的間隙為1±0.1mm，深度為0.5±0.1mm。
4.如權利要求1所述的靶材，其特征在于，所述靶材為半導體工藝中的磁控濺射靶材。
5.如權利要求4所述的靶材，其特征在于，所述靶材為鈦靶、鉭靶中任一種。
6.如權利要求1所述的靶材，其特征在于，所述靶材的尺寸為6寸、8寸、10寸、12寸中任一種。
7.一種膜層的形成方法，其特征在于，包括：
提供靶材，所述靶材的待濺射表面的邊緣處具有滾花區；
利用所述靶材進行濺射。
8.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述滾花區從所述靶材的最外沿往靶材圓心方向延伸，其寬度和所述靶材直徑的比例為1∶25。
9.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，滾花的間隙為1±0.1mm，深度為0.5±0.1mm。
10.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述靶材為鈦靶、鉭靶中任一種。
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