[發(fā)明專利]三端自反饋線性恒流器及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110373885.6
• 申請日: 2011-11-22
• 公開（公告）號: CN102437159A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李澤宏;唐文雄
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市芯威科技有限公司
• 主分類號: H01L27/098
• 分類號: H01L27/098;H01L21/8232;H05B37/02
• 代理公司: 深圳市中知專利商標(biāo)代理有限公司 44101
• 代理人: 孫皓;林虹

1.一種三端自反饋線性恒流器，其特征在于：所述三端自反饋線性恒流器由N溝道PN結(jié)型場效應(yīng)晶體(JFET)、電阻(R)和可調(diào)電阻(R_adj)構(gòu)成，所述場效應(yīng)晶體(JFET)的源端(S)同電阻(R)的一端相連，場效應(yīng)晶體(JFET)的柵端(G)連接到電阻(R)的另一端，可調(diào)電阻(R_adj)與電阻(R)并聯(lián)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三端自反饋線性恒流器，其特征在于：所述電阻(R)為多晶硅電阻，場效應(yīng)晶體(JFET)和多晶硅電阻(R)集成于同一芯片上，可調(diào)電阻(R_adj)外接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三端自反饋線性恒流器，其特征在于：所述場效應(yīng)晶體(JFET)設(shè)有P⁺襯底(2)、P⁺襯底(2)背面的金屬化陰極(1)、P⁺襯底(2)正面的N^-外延層(3)、N^-外延層(3)中的高摻雜P⁺環(huán)(4)、N^-外延層(3)中的N^-阱區(qū)(5)、位于N^-阱區(qū)(5)中的N^-接觸區(qū)(8)和位于N^-接觸區(qū)(8)中間部位的N⁺接觸區(qū)(6)、位于兩個N^-接觸區(qū)(8)之間的P⁺柵區(qū)(7)、覆蓋在整個硅表面的氧化層(9)、N⁺接觸區(qū)(6)表面的源電極金屬層(10)和漏電極金屬層(11)；所述P⁺柵極(7)延伸出N^-阱區(qū)(5)的邊緣與高摻雜P⁺環(huán)(4)相連，P⁺環(huán)(4)上面設(shè)有柵金屬層(13)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三端自反饋線性恒流器，其特征在于：所述場效應(yīng)晶體(JFET)設(shè)有P⁺襯底(2)、P⁺襯底(2)背面的金屬化陰極(1)、P⁺襯底(2)正面的P^-外延層(3)、P^-外延層(3)中的高摻雜P⁺環(huán)(4)、P^-外延層(3)中的N^-阱區(qū)(5)、位于N^-阱區(qū)(5)中的N^-接觸區(qū)(8)和位于N^-接觸區(qū)(8)中間部位的N⁺接觸區(qū)(6)、位于兩個N^-接觸區(qū)(8)之間的P⁺柵區(qū)(7)、覆蓋在整個硅表面的氧化層(9)、N⁺接觸區(qū)(6)表面的源電極金屬層(10)和漏電極金屬層(11)；所述P⁺柵極(7)延伸出N^-阱區(qū)(5)的邊緣與高摻雜P⁺環(huán)(4)相連，P⁺環(huán)(4)上面設(shè)有柵金屬層(13)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三端自反饋線性恒流器，其特征在于：所述場效應(yīng)晶體(JFET)設(shè)有N⁺襯底(2)、N⁺襯底(2)背面的金屬化陰極(1)、N⁺襯底(2)正面的P^-外延層(3)、P^-外延層(3)中的高摻雜N⁺環(huán)(4)、P^-外延層(3)中的P^-阱區(qū)(5)、位于P^-阱區(qū)(5)中的P^-接觸區(qū)(8)和位于P^-接觸區(qū)(8)中間部位的P⁺接觸區(qū)(6)、位于兩個P^-接觸區(qū)(8)之間的N⁺柵區(qū)(7)、覆蓋在整個硅表面的氧化層(9)、P⁺接觸區(qū)(6)表面的源電極金屬層(10)和漏電極金屬層(11)；所述N⁺柵極(7)延伸出P^-阱區(qū)(5)的邊緣與高摻雜N⁺環(huán)(4)相連，N⁺環(huán)(4)上面設(shè)有柵金屬層(13)。