[發明專利]一種含萘基蒽的有機半導體材料及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201110373841.3
• 申請日: 2011-11-22
• 公開（公告）號: CN103130741A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;梁祿生;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: C07D277/66
• 分類號: C07D277/66;H01L51/54;H01L51/46;H01L51/30
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種含萘基蒽的有機半導體材料，該材料的分子結構通式如下：

式中，R為氫或C₁～C₆的烷基中的任意一種。

2.如權利要求1所述的含萘基蒽的有機半導體材料，其特征在于，所述R為C₂～C₄的烷基中的任意一種。

3.一種含萘基蒽的有機半導體材料的制備方法，其包括如下步驟：

選取如下結構式表示的化合物A和B，

在惰性氣體環境下，有機金屬催化劑體系和有機溶劑存在的條件下，將所述化合物A和B進行Suzuki反應，得到含萘基蒽的有機半導體材料，所述含萘基蒽的有機半導體材料的結構式如下所示：

其中，所述各步驟的結構式中的R為氫或C₁～C₆的烷基。

4.如權利要求3所述的含萘基蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述有機金屬催化劑為有機鈀催化劑或者有機鈀催化劑與有機膦配體的混合物，其中，有機鈀與有機磷配體的摩爾比1∶2～1∶4。

5.如權利要求3所述的含萘基蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述有機金屬催化劑添加量為化合物A的摩爾用量的0.001～0.1倍。

6.如權利要求3所述的含萘基蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述化合物A的摩爾用量與化合物B的摩爾用量比為1∶1～1∶1.5。

7.如權利要求3所述的含萘基蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述有機溶劑為四氫呋喃、乙二醇二甲醚、苯、氯苯和甲苯中的至少一種。

8.如權利要求3所述的含萘基蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述Suzuki耦合反應的溫度為60℃～130℃，時間為8～48h。

9.如權利要求3所述的含萘基蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述R為C₂～C₄的烷基。

10.如權利要求1或2所述的含萘基蒽的有機半導體材料在有機光電材料、有機太陽能電池器件、有機場效應晶體管器件、有機電致發光器件、有機光存儲器件或有機激光器件中的應用。