[發明專利]使用短效涂層制作構件的方法

有效

• 申請號: 201110373807.6
• 申請日: 2011-11-10
• 公開（公告）號: CN102536465A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: R·S·班克;魏斌;D·M·利普金;R·B·雷巴克
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: F02C7/12
• 分類號: F02C7/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 朱鐵宏;譚祐祥

1.一種制作構件(100)的方法，所述方法包括：

將短效涂層(30)沉積到基底(110)的表面(112)上，其中所述基底(110)具有至少一個中空內部空間(114)；

穿過所述短效涂層(30)加工所述基底(110)以在所述基底(110)的表面(112)中形成一個或多個凹槽(132)，其中所述一個或多個凹槽(132)中的各個均具有基部(134)且至少部分地沿所述基底(110)的表面(112)延伸；

穿過所述一個或多個凹槽(132)中的相應一個凹槽的基部(134)形成一個或多個出入孔(140)，以便使相應凹槽(132)與相應中空內部空間(114)成流體連通地連接；

用填料(32)填充所述凹槽(132)；

除去所述短效涂層(30)；

在所述基底(110)的表面(112)的至少一部分上設置涂層(150)；以及

從所述一個或多個凹槽(132)除去所述填料(32)，使得所述一個或多個凹槽(132)和所述涂層(150)一起限定一個或多個通道(130)來用于冷卻所述構件(100)。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在將所述短效涂層(30)沉積到所述基底(110)的表面(112)上之前鑄造所述基底(110)。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述一個或多個凹槽(132)使用研磨液體射流、浸入電化學加工(ECM)、具有自旋電極的放電加工(銑磨EMD)，以及激光加工(激光鉆孔)中的一種或多種而形成。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述涂層(150)沉積在所述基底(110)的表面(112)的至少一部分上包括執行等離子沉積，以及其中所述涂層(150)包括鎳基合金或鈷基合金。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述基底(110)的表面(112)的至少一部分上沉積所述涂層(150)包括執行以下各項中的至少一種：

熱噴涂工藝，其包括高速氧燃料噴涂(HVOF)、高速空氣燃料噴涂(HVAF)、常壓等離子噴涂，或低壓等離子噴涂(LPPS)；以及

冷噴涂工藝。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述短效涂層(30)沉積在所述基底(110)的表面(112)上的厚度在0.1毫米至2.0毫米的范圍內，以及其中所述短效涂層(30)包括聚合物或含碳材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在加工所述基底(110)之前干燥、固化或燒結所述短效涂層(30)。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

干燥、固化或燒結所述填料(32)；以及

在干燥、固化或燒結所述填料(32)之后且在所述基底(110)的表面(112)上設置所述涂層(150)之前除去所述短效涂層(30)。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在用所述填料(32)填充所述一個或多個凹槽之前除去所述短效涂層(30)。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述短效涂層(30)使用選自由粉末涂布、靜電涂布、浸漬涂布、自旋涂布、化學氣相沉積和制備帶的應用所構成的組的沉積技術來沉積。