[發明專利]第III族氮化物半導體發光器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110373628.2
• 申請日: 2011-11-22
• 公開（公告）號: CN102479899A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 奧野浩司;宮崎敦嗣
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;董文國

1.一種第III族氮化物半導體發光器件，包括：藍寶石襯底、以及提供于所述藍寶石襯底上并且由第III族氮化物半導體形成的層狀結構，其中所述藍寶石襯底在層狀結構側上的表面上具有凹凸；并且所述凹凸具有如下結構：其中在垂直于所述藍寶石襯底的所述主表面的任何橫截面中提供在水平上的一個以上差異、以及在垂直于所述藍寶石襯底的所述主表面的特定的橫截面中提供在水平上的兩個以上差異。

2.根據權利要求1所述的第III族氮化物半導體發光器件，其中所述凹凸具有如下結構，所述結構包括：形成于所述藍寶石襯底的層狀結構側上的表面上的第一條紋圖案凹凸，所述第一條紋圖案凹凸包括從上面觀察時設置為條紋圖案并且平行于第一方向對齊的多個第一凹槽；以及形成于所述第一條紋圖案凹凸頂上的第二條紋圖案凹凸，所述第二條紋圖案凹凸包括從上面觀察時設置為條紋圖案并且平行于第二方向對齊的多個第二凹槽，所述第二方向與所述第一方向不同。

3.根據權利要求2所述的第III族氮化物半導體發光器件，其中所述第一方向與所述第二方向正交。

4.根據權利要求1所述的第III族氮化物半導體發光器件，其中所述凹凸具有如下結構，所述結構包括：形成于所述藍寶石襯底的層狀結構側上的表面上的條紋圖案凹凸，所述條紋圖案凹凸包括從上面觀察時設置為條紋圖案并且平行于特定方向對齊的多個凹槽；以及形成于所述條紋圖案凹凸頂上的點圖案凹凸，所述點圖案凹凸包括從上面觀察時設置為柵格圖案的臺面或凹陷。

5.根據權利要求1所述的第III族氮化物半導體發光器件，其中所述凹凸具有如下結構，所述結構包括：形成于所述藍寶石襯底的層狀結構側上的表面上的點圖案凹凸，所述點圖案凹凸包括從上面觀察時設置為柵格圖案的臺面或凹陷；以及形成于所述點圖案凹凸頂上的條紋圖案凹凸，所述條紋圖案凹凸包括從上面觀察時設置為條紋圖案并且平行于特定方向對齊的多個凹槽。

6.根據權利要求2或權利要求3所述的第III族氮化物半導體發光器件，其中所述第一條紋圖案凹凸的所述第一凹槽的深度與所述第二條紋圖案凹凸的所述第二凹槽的深度不同。

7.根據權利要求2或權利要求3所述的第III族氮化物半導體發光器件，其中所述第一條紋圖案凹凸的所述第一凹槽的深度與所述第二條紋圖案凹凸的所述第二凹槽的深度相同。

8.根據權利要求4或權利要求5所述的第III族氮化物半導體發光器件，其中所述條紋圖案凹凸的所述凹槽的深度與所述點圖案凹凸的臺面的高度或所述凹陷的深度不同。

9.根據權利要求4或權利要求5所述的第III族氮化物半導體發光器件，其中所述條紋圖案凹凸的所述凹槽的深度與所述點圖案凹凸的臺面的高度或所述凹陷的深度相同。