[發明專利]用于制造半導體芯片的方法、用于垂直裝配到電路載體上的裝配方法和半導體芯片在審
| 申請號: | 201110373184.2 | 申請日: | 2011-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN102479728A | 公開(公告)日: | 2012-05-30 |
| 發明(設計)人: | H-P·貝爾;P·法貝爾;S·魏斯;L·勞舍爾 | 申請(專利權)人: | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/50;H01L23/50 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 曾立 |
| 地址: | 德國斯*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 半導體 芯片 方法 垂直 裝配 電路 載體 | ||
技術領域
本發明涉及一種相應于獨立權利要求類型的用于制造半導體芯片的方法、用于垂直裝配到電路載體上的裝配方法和半導體芯片。?
背景技術
硅技術中的電子電路和機械傳感器或磁傳感器通常被包封在所謂的芯片封裝(Chip?Package)中,這樣能夠將其簡單地釬焊在電路板上以安裝到設備或模塊中。為此,通常鋸切硅芯片并且以不同的方法將其施加到芯片封裝的載體——如沖壓柵格或電路板上,并且或者同時或者在一個單獨步驟中電連接所述硅芯片。在此,芯片構造在一個平面中,在所述平面中所述芯片在制造過程期間也位于硅晶片上,由此通常芯片的高度是方形芯片的最小尺寸。對于傳感機構的一些應用而言有利的是,將各個芯片在垂直于平面的方向上裝配到芯片封裝中,在所述平面中這些芯片位于晶片上。?
US?7095226?B2示出了一種例如將磁傳感器芯片通過所述方式與其制造方向垂直地裝配到芯片封裝中的可能方案。在那里描述了一些用于垂直地安裝芯片的解決方案,這些芯片的連接區域、即鍵合盤通過與通常用于平行結構的方式相同的方式設置,也就是說,設置在裝配后垂直于裝配基面的硅晶片平面中。這些芯片不能借助通常用于與裝配基面平行的連接面的連接技術進行連接。WO?2008/016198公開了一種垂直裝配的傳感器芯片,其在端面上具有鍵合面,但是沒有給出制造或裝配的說明。?
發明內容
相反,根據本發明的用于制造半導體芯片的方法、用于垂直地裝配到電路載體上的裝配方法和半導體芯片具有以下優點:如此制造的芯片可以在垂直于晶片平面的方向上非常簡單地裝配到所述芯片封裝中。在此,連?接區域、即鍵合盤如在通常的水平裝配中那樣平行于芯片封裝的載體,從而可以使用通常的方法——例如引線鍵合(Wire?Bond)、倒裝法等等進行電觸點接通。?
本發明的另一優點是,在晶片分離成芯片之前,芯片、尤其是硅芯片在垂直于晶片平面的面上可以設有連接區域(鍵合盤)。?
根據本發明,提出了一種用于將半導體芯片垂直地裝配到電路載體上的制造方法,所述方法從具有多行芯片的半導體晶片出發,這些芯片在上側上具有接觸面,其中,這些芯片通過鋸切線彼此分離,所述方法具有以下方法步驟:?
a)沿著一個鋸切線產生基本上方形的凹槽,所述凹槽具有至少一個垂直于所述上側并且平行于所述鋸切線的主面;?
b)在所述晶片的活性表面上以及在至少一個主面上施加絕緣層;?
c)去除接觸面上方的絕緣層;?
d)在所述活性表面和所述主面上施加金屬層,用于建立接觸面與主面的導電連接;?
e)通過去除相鄰的主面的導電連接之間的金屬層來結構化所述金屬層;以及?
f)借助穿過所述凹槽的鋸切截面來鋸切所述半導體晶片。?
根據本發明的一個實施方式,借助DRIE方法(Deep?Reactive-IonEtching:深反應離子蝕刻方法)來產生所述基本上方形的凹槽。
根據本發明的一個實施方式,借助PVD方法實現所述金屬層的施加。?
根據本發明的一個實施方式,借助光刻通過噴膠方法實現所述金屬層的去除。?
根據本發明的一個實施方式,借助陰影掩模方法實現所述金屬層的施加和結構化。
根據本發明的一個實施方式,每第二行的芯片轉動180°,并且所述凹槽具有兩個相對置的主面,這些主面被分配給不同的芯片。?
根據本發明的一個實施方式,所述半導體晶片是硅晶片。?
根據本發明,還提出了一種半導體芯片,所述半導體芯片在平行于晶片平面的上側上具有接觸面,并且在垂直于所述上側的連接面側上具有連?接面,其中,每個連接面與一個相對應的接觸面導電連接。?
根據本發明的一個實施方式,所述半導體芯片是磁場傳感器。?
根據本發明,還提出了一種用于將半導體芯片借助在垂直于晶片上側的鍵合面表面上的鍵合面裝配在載體上的裝配方法,所述載體具有載體上側上的印制導線上的連接面,所述方法具有以下方法步驟:?
i)將半導體芯片以所述鍵合面表面定位在所述載體上側上;以及?
j)借助釬焊方法將連接面與接合面連接。?
根據本發明的一個實施方式,借助于焊珠實現所述釬焊方法。?
附圖說明
根據附圖詳細說明本發明的實施例,其中:?
圖1示出根據本發明的一個實施方式具有垂直于上側的連接面的完成鋸切的芯片的示意圖,所述上側面平行于晶片;?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





