[發明專利]內容可尋址存儲器存儲單元匹配線的檢測電路和方法

有效

• 申請號: 201110373111.3
• 申請日: 2011-11-22
• 公開（公告）號: CN102411995A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 閆浩;洪纓;王東輝;侯朝煥
• 申請（專利權）人: 中國科學院聲學研究所
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所 11309
• 代理人: 陳霽

1.一種內容可尋址存儲器的存儲單元匹配線的檢測電路，包括若干或非存儲單元、均衡電路(81)、預放電電路(82)、敏感放大器(83)和輸出電路(84)，其中所述若干或非存儲單元并聯形成第一匹配線(MLA)和第二匹配線(MLB)，所述預放電電路(82)與所述第二匹配線(MLB)連接，所述均衡電路(81)連接于所述第一匹配線(MLA)和第二匹配線(MLB)之間，所述第一匹配線(MLA)和第二匹配線(MLB)連接于所述敏感放大器(83)，所述敏感放大器(83)連接于所述輸出電路(84)，由所述輸出電路(84)輸出匹配信號(MLSO)。

2.根據權利要求1所述的檢測電路，其特征在于：

所述均衡電路(81)包括第一N型MOS管(N1)，所述MOS管(N1)連接于所述第一匹配線(MLA)和所述第二匹配線(MLB)之間；

所述預放電電路(82)包括第二N型MOS管(N2)，所述MOS管(N2)連接于所述第二匹配線(MLB)和低電源電平；

所述敏感放大器(83)包括第一至第三P型MOS管(P1-P3)和第三至第六N型MOS管(N3-N6)，所述MOS管(P1)的柵極連接于信號，源極連接于高電源電平，漏極與所述MOS管(P2)、所述MOS管(P3)的源極連接，所述MOS管(P2)的柵極與所述第一匹配線(MLA)連接，漏極與所述N型MOS管(N3)的漏極連接于節點B，所述N型MOS管(N3)與所述MOS管(N5)串聯連接，所述MOS管(N5)的源極連接于第二匹配線(MLB)，所述MOS管(P3)的漏極與所述MOS管(N4)的漏極連接于節點A，所述MOS管(N4)的柵極與所述MOS管(N3)的柵極連接于所述節點A，形成普通的電流鏡，所述MOS管(N4)與MOS管(N6)串聯連接，所述MOS管(N6)的柵極與所述MOS管(N5)的柵極連接于EVAL信號，所述MOS管(N6)的源極連接于所述第一匹配線(MLA)；

所述輸出電路(84)包括第四P型MOS管(P4)、第七至N型MOS管(N7)、第八N型MOS管(N8)和第十N型MOS管(10)，所述MOS管(N8)的柵極和漏極連接于高電源電平，源極連接于所述MOS管(P4)的源極，所述MOS管(P4)的柵極、所述MOS管(N7)的柵極和所述MOS管(N10)的漏極連接于所述節點B，所述MOS管(P4)的漏極與所述MOS管(N7)的漏極連接，并輸出匹配信號(MLSO)，所述MOS管(N7)的源極與所述MOS管(N10)的源極相連接于低電源電平，所述MOS管(N10)的柵極連接于所述信號。

3.根據權利要求2所述的檢測電路，其特征在于：所述輸出電路(84)的MOS管(N10)到節點B間增加第九N型MOS管(N9)，所述MOS管(N9)的柵極連接于所述MOS管(P4)的漏極和所述MOS管(N7)的漏極，所述MOS管(P9)的源極連接于所述節點B，所述MOS管(P9)的漏極連接于所述MOS管(N10)。