[發明專利]可撓式基板結構及其制造方法有效
| 申請號: | 201110373035.6 | 申請日: | 2011-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN102496599A | 公開(公告)日: | 2012-06-13 |
| 發明(設計)人: | 李文淵;邱品翔;薛郁潔;陳儷尹;魏敏芝;林炫佑 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 劉曉飛;張龍哺 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 可撓式基 板結 及其 制造 方法 | ||
1.一種可撓式基板結構的制造方法,包括:
提供一第一承載基板,該第一承載基板具有一中央區,以及一周邊區位于該中央區的至少一側;
在該第一承載基板的該中央區形成一第一粘著層;
在該第一承載基板的該周邊區形成一第二粘著層;
利用該第一粘著層與該第二粘著層將一第一可撓式基板粘著于該第一承載基板上,以形成一可撓式基板結構,其中該第一可撓式基板與該第二粘著層之間的粘著力大于該第一可撓式基板與該第一粘著層之間的粘著力;
切割該可撓式基板結構;以及
將該第一可撓式基板從該可撓式基板結構分離。
2.如權利要求1所述的可撓式基板結構的制造方法,其中該第一可撓式基板與該第二粘著層之間的粘著力大于0.15N/inch。
3.如權利要求1所述的可撓式基板結構的制造方法,其中切割該可撓式基板結構的步驟包括沿該第一承載基板的該中央區的邊緣切割該第一承載基板與該第一可撓式基板,以使該該中央區與該周邊區分離。
4.如權利要求1所述的可撓式基板結構的制造方法,其中切割該可撓式基板結構的步驟包括沿該第一承載基板與該第一可撓式基板之間切割該第二粘著層,以使該第一可撓式基板與該第一承載基板分離。
5.如權利要求1所述的可撓式基板結構的制造方法,還包括在切割該可撓式基板結構之前:
提供一第二承載基板,該第二承載基板具有一中央區,以及一周邊區位于該中央區的至少一側;
在該第二承載基板的該中央區形成一第三粘著層;
在該第二承載基板的該周邊區形成一第四粘著層;
利用該第三粘著層與該第四粘著層將一第二可撓式基板于粘著于該第二承載基板上,其中該第二可撓式基板與該第四粘著層之間的粘著力大于該第二可撓式基板與該第三粘著層之間的粘著力;以及
利用一第五粘著層粘著該第一可撓式基板與該第二可撓式基板,其中該第一可撓式基板與該第五粘著層的粘著力大于該第一可撓式基板與該第二粘著層的粘著力,且該第二可撓式基板與該第五粘著層的粘著力大于該第二可撓式基板與該第四粘著層的粘著力。
6.如權利要求5所述的可撓式基板結構的制造方法,其中該第一可撓式基板與該第二粘著層之間的粘著力大于0.15N/inch,該第二可撓式基板與該第四粘著層之間的粘著力大于0.15N/inch,且該第五粘著層與該第一可撓式基板及該第二可撓式基板之間的粘著力大于0.5N/inch。
7.如權利要求5所述的可撓式基板結構的制造方法,其中切割該可撓式基板結構的步驟包括沿該第一承載基板的該中央區的邊緣切割該第一承載基板、該第一可撓式基板、該第二可撓式基板與該第二承載基板,以使該第一可撓式基板與該第一承載基板分離,以及使該第二可撓式基板與該第二承載基板分離。
8.如權利要求5所述的可撓式基板結構的制造方法,其中切割該可撓式基板結構步驟包括:
沿該第一承載基板與該第一可撓式基板之間切割該第二粘著層,以使該第一可撓式基板與該第一承載基板分離;以及
沿該第二承載基板與該第二可撓式基板之間切割該第四粘著層,以使該第二可撓式基板與該第二承載基板分離。
9.如權利要求5所述的可撓式基板結構的制造方法,還包括在粘著該第一可撓式基板與該第二可撓式基板之前,先在該第一可撓式基板與該第二可撓式基板之間形成一光調變介質層。
10.如權利要求5所述的可撓式基板結構的制造方法,其中該光調變介質層包括一液晶層。
11.如權利要求1所述的可撓式基板結構的制造方法,其中該第一承載基板的該周邊區的面積與該中央區的面積的一比值大于0.5。
12.一種可撓式基板結構,包括:
一第一承載基板,該第一承載基板具有一中央區,以及一周邊區位于該中央區的至少一側;
一第一粘著層,位于該第一承載基板的該中央區;
一第二粘著層,位于該第一承載基板的該周邊區;以及
一第一可撓式基板,通過該第一粘著層與該第二粘著層粘著于該第一承載基板上,其中該第一可撓式基板與該第二粘著層之間的粘著力大于該第一可撓式基板與該第一粘著層之間的粘著力。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





