[發(fā)明專利]基于阻變柵介質(zhì)的1.5T動(dòng)態(tài)存儲單元、陣列以及其操作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110372160.5
• 申請日: 2011-11-21
• 公開（公告）號: CN103123804A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林殷茵;李慧
• 申請（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406;H01L27/108
• 代理公司: 上海元一成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31268
• 代理人: 吳桂琴

1.一種基于阻變柵介質(zhì)的1.5T動(dòng)態(tài)存儲單元、陣列，包括：晶體管，包括源極、漏極和控制柵極；存儲節(jié)點(diǎn)，即所述晶體管控制柵極的柵介質(zhì)，位于晶體管控制柵極和硅襯底之間，存儲電阻變化；字線，連接到所述晶體管的控制柵極；位線，連接到所述晶體管的漏極；源線，連接到所述晶體管的源極；其特征在于，所述的存儲單元中，包括讀管(201)，起到選通、限流的作用，編程部件(202)，位線(203)，(204)代表(201)的字線，即讀字線，(205)代表編程字線，柵極(206)使用具有阻變特性材料，如HfOx。

2.按權(quán)利要求1所述的基于阻變柵介質(zhì)的1.5T動(dòng)態(tài)存儲單元、陣列，其特征在于，所述柵極(206)使用阻變特性材料HfOx。

3.按權(quán)利要求1所述的基于阻變柵介質(zhì)的1.5T動(dòng)態(tài)存儲單元、陣列，其特征在于，所述柵極(206)有高、低阻不同狀態(tài)，其中高阻、低阻之間轉(zhuǎn)變可逆。

4.按權(quán)利要求1所述的基于阻變柵介質(zhì)的1.5T動(dòng)態(tài)存儲單元、陣列，其特征在于，在字線(205)和位線(203)之間施加一定電壓，留過的電流大小不同。

5.按權(quán)利要求4所述的基于阻變柵介質(zhì)的1.5T動(dòng)態(tài)存儲單元、陣列，其特征在于，讀取時(shí)在字線、源線、位線之間施加一定電壓，可根據(jù)不同大小的電流判斷“0”和“1”。

6.按權(quán)利要求5所述的基于阻變柵介質(zhì)的1.5T動(dòng)態(tài)存儲單元、陣列，其特征在于，在1和0兩狀態(tài)的讀取電流相差20～500倍。

7.按權(quán)利要求5所述的基于阻變柵介質(zhì)的1.5T動(dòng)態(tài)存儲單元、陣列，其特征在于，對data?retention的要求大于64ms。

8.按權(quán)利要求1所述的基于阻變柵介質(zhì)的1.5T動(dòng)態(tài)存儲單元、陣列，其特征在于，在所述編程部件的HfOx厚度上增設(shè)掩膜板(406)。