[發明專利]雙邊沿脈沖D觸發器

無效

• 申請號: 201110372108.X
• 申請日: 2011-11-21
• 公開（公告）號: CN102420585A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 賈嵩;梁雪;徐越;李濤;王源;張鋼剛
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H03K3/012
• 分類號: H03K3/012;H03K3/02
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種雙邊沿脈沖D觸發器，包括源極與電源連接的預充MOS管、源極接地并且柵極接脈沖控制信號的脈沖控制MOS管、以及連接于所述預充MOS管的漏極和所述脈沖控制MOS管的漏極之間并具有求值輸入端或輸出端的求值MOS管，其特征在于，所述預充MOS管的柵極接所述脈沖控制信號。

2.如權利要求1所述的雙邊沿脈沖D觸發器，其特征在于，所述D觸發器為DCCER觸發器，所述預充MOS管包括源極分別與電源連接的第一預充PMOS管和第二預充PMOS管，所述第一預充PMOS管和第二預充PMOS管的柵極分別接所述脈沖控制信號。

3.如權利要求2所述的雙邊沿脈沖D觸發器，其特征在于，所述求值MOS管包括漏極與所述第一預充PMOS管的漏極連接的第一求值NMOS管、漏極與所述第一求值NMOS管的源極連接的第三求值NMOS管、漏極與所述第二預充PMOS管的漏極連接的第二求值NMOS管以及漏極與所述第二求值NMOS管的源極連接的第四求值NMOS管，所述第三求值NMOS管與第四求值NMOS管的源極與所述脈沖控制MOS管的漏極連接，所述第一求值NMOS管和第二求值NMOS管的柵極分別為求值信號輸入端；所述第三求值NMOS管和第四求值NMOS管的柵極分別為求值信號輸出端，所述第一求值NMOS管和第二求值NMOS管的漏極分別通過鎖存電路結構與所述兩個求值信號輸出端連接。

4.如權利要求1所述的雙邊沿D觸發器，其特征在于，所述D觸發器為SCCER觸發器，所述預充MOS管包括源極與電源連接的第三預充PMOS管。

5.如權利要求4所述的雙邊沿D觸發器，其特征在于，所述求值MOS管包括漏極與所述第三預充PMOS管的漏極連接的第五求值NMOS管、漏極與所述第五求值NMOS管的源極連接的第六求值NMOS管、源極與電源連接并且柵極與所述第三預充PMOS管的漏極連接的第七求值PMOS管、以及漏極與所述第七求值PMOS管的漏極連接的第八求值NMOS管，所述第六求值NMOS管和第八求值NMOS管的源極分別與所述脈沖控制MOS管的漏極連接，所述第五求值NMOS管和第八求值NMOS管的柵極分別為求值輸入端，所述第六求值NMOS管的柵極和所述第七求值PMOS管的漏極為求值輸出端。