[發(fā)明專利]高性能肖特基二極管的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110371914.5
• 申請(qǐng)日: 2011-11-21
• 公開（公告）號(hào): CN102427041A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭晨焱;張挺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/329
• 分類號(hào): H01L21/329
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

1.一種高性能肖特基二極管的制造方法，包括步驟：

提供半導(dǎo)體基底(1)，其上依次形成有重?fù)诫s層(2)和輕摻雜層(3)；

在所述輕摻雜層(3)上淀積絕緣層(4)，采用光刻工藝刻蝕所述絕緣層(4)，在所述輕摻雜層(3)上方開出絕緣層窗口(5)，露出所述輕摻雜層(3)；

采用清洗溶液對(duì)露出的所述輕摻雜層(3)進(jìn)行清洗及輕微腐蝕；

在所述絕緣層(4)和所述輕摻雜層(3)上淀積第一金屬層(8)；

采用退火工藝將所述第一金屬層(8)與所述輕摻雜層(3)作合金化工藝，在所述第一金屬層(8)與所述輕摻雜層(3)之間形成合金化層(9、10)；

去除所述第一金屬層(8)；

在所述合金化層(9、10)上形成與之相接觸的上電極(11、13)；

其中，所述清洗溶液的主要成分及其質(zhì)量百分比如下：

磷酸65～75％，乙酸5～15％，氟硼酸1～5％以及硝酸1～5％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述合金化層(9、10)上形成上電極(11)包括步驟：

在所述絕緣層(4)和所述合金化層(9、10)上淀積第二金屬層；

對(duì)所述第二金屬層作圖形化工藝，形成與所述合金化層(9、10)相接觸的上電極(11)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述合金化層(9、10)上形成上電極(13)包括步驟：

在所述絕緣層(4)和所述合金化層(9、10)上淀積第三金屬層(12)；

采用化學(xué)機(jī)械拋光法對(duì)所述第三金屬層(12)作平坦化，直至露出所述絕緣層(4)，由所述絕緣層(4)與所述合金化層(9、10)構(gòu)成的溝槽內(nèi)保留的所述第三金屬層(12)成為所述上電極(13)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述輕摻雜層(3)的摻雜濃度在豎直方向上的分布是均勻的或者漸變的。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述輕摻雜層(3)的摻雜濃度在豎直方向上從下往上逐漸降低。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述輕摻雜層(3)的頂部區(qū)域的摻雜濃度低于1E18。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述重?fù)诫s層(2)的摻雜濃度在豎直方向上的分布是均勻的或者漸變的。

8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述絕緣層(4)的厚度是可調(diào)節(jié)的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述輕摻雜層(3)的材料為硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述合金化層(9、10)包括以金屬占多數(shù)的第一合金化層(9)和以半導(dǎo)體占多數(shù)的第二合金化層(10)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述第一合金化層(9)和所述第二合金化層(10)之間是漸變的。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除所述第一金屬層(8)的工藝為濕法刻蝕法或者干法刻蝕法。