[發(fā)明專利]硅酸鹽復(fù)合物拋光墊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110371457.X
• 申請日: 2011-11-11
• 公開（公告）號(hào): CN102528647A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·R·旺克;D·M·奧爾登;J·K·搜;R·加焦尼;M·E·加澤;D·德羅普;C·F·小卡梅倫;M·T·班赫;S·利雷
• 申請（專利權(quán)）人: 羅門哈斯電子材料CMP控股股份有限公司
• 主分類號(hào): B24B37/24
• 分類號(hào): B24B37/24;B24B37/26
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 胡嘉倩

1.一種拋光墊，所述拋光墊用于拋光半導(dǎo)體基片、磁性基片和光學(xué)基片中的至少一種，所述拋光墊包括：

聚合物基質(zhì)，所述聚合物基質(zhì)具有拋光表面；

聚合物微元件，所述聚合物微元件分布在所述聚合物基質(zhì)中和所述聚合物基質(zhì)的拋光表面上；所述聚合物微元件具有外表面并且被流體填充從而在拋光表面產(chǎn)生紋理；和

分布在各聚合物微元件中的含硅酸鹽的區(qū)域，所述含硅酸鹽的區(qū)域被隔開，涂覆所述聚合物微元件小于50％的外表面；和小于聚合物微元件總量的0.1重量％的聚合物微元件與以下組分結(jié)合：i)硅酸鹽顆粒，所述硅酸鹽顆粒的粒度大于5μm；ii)含硅酸鹽的區(qū)域，所述含硅酸鹽的區(qū)域覆蓋所述聚合物微元件超過50％的外表面；和iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件與硅酸鹽顆粒團(tuán)聚至平均簇尺寸大于120μm。

2.如權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，與所述聚合物微元件結(jié)合的硅酸鹽區(qū)域的平均尺寸為0.01-3μm。

3.如權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，所述聚合物微元件的平均尺寸為5-200微米。

4.如權(quán)利要求1所述的拋光墊，其特征在于，所述含硅酸鹽的區(qū)域覆蓋所述聚合物微元件1-40％的外表面。

5.一種拋光墊，所述拋光墊用于拋光半導(dǎo)體基片、磁性基片和光學(xué)基片中的至少一種，所述拋光墊包括：

聚合物基質(zhì)，所述聚合物基質(zhì)具有拋光表面；

聚合物微元件，所述聚合物微元件分布在所述聚合物基質(zhì)中和所述聚合物基質(zhì)的拋光表面上；所述聚合物微元件具有外表面并且被流體填充從而在拋光表面產(chǎn)生紋理；和

分布在各聚合物微元件中的含硅酸鹽的區(qū)域，所述含硅酸鹽的區(qū)域被隔開，涂覆所述聚合物微元件1-40％的外表面；和小于聚合物微元件總量的0.05重量％的聚合物微元件與以下組分結(jié)合：i)硅酸鹽顆粒，所述硅酸鹽顆粒的粒度大于5μm；ii)含硅酸鹽的區(qū)域，所述含硅酸鹽的區(qū)域覆蓋所述聚合物微元件超過50％的外表面；和iii)聚合物微元件，所述聚合物微元件與硅酸鹽顆粒團(tuán)聚至平均簇尺寸大于120μm。

6.如權(quán)利要求5所述的拋光墊，其特征在于，分布在所述聚合物微元件上的含硅酸鹽的區(qū)域的平均粒度為0.01-2微米。

7.如權(quán)利要求5所述的拋光墊，其特征在于，所述聚合物微元件的平均尺寸為10-100微米。

8.如權(quán)利要求5所述的拋光墊，其特征在于，所述含硅酸鹽的區(qū)域覆蓋所述聚合物微元件2-30％的外表面。