[發明專利]微球薄膜制備裝置與真空蒸發技術制備碳化硼微球薄膜和靶丸的方法

無效

• 申請號: 201110371022.5
• 申請日: 2011-11-21
• 公開（公告）號: CN102383104A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 廖志君;林濤;于小河;王自磊;陶勇;盧鐵城;伍登學
• 申請（專利權）人: 四川大學
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/06
• 代理公司: 成都科海專利事務有限責任公司 51202
• 代理人: 黃幼陵;馬新民

1.一種磁吸附微球薄膜制備裝置，包括電機(1)，其特征在于還包括系桿(2)、固定盤(3)、磁體(4)和篩網(5)，所述系桿(2)至少為三根，各系桿的一端與電機(1)的轉動部件連接且沿電機轉動部件的圓周等間隔分布，各系桿的另一端與篩網(5)連接，磁體(4)為多個，相隔一定間距安裝在固定盤(3)的下端面上，安裝有磁體的固定盤位于電機(1)、篩網(5)和系桿(2)圍成的空間內，其下端面朝向篩網，當安裝有磁體的固定盤通過桿件固定在電子束蒸發設備的真空室內時，其下端面與篩網(5)之間的間距h₁控制在：0＜h₁≤3mm。

2.根據權利要求1所述磁吸附微球薄膜制備裝置，其特征在于相鄰磁體之間的間距以各磁體產生的磁場不會改變其它磁體吸附的鐵磁性微球襯底(6)的位置為準。

3.根據權利要求1或2所述磁吸附微球薄膜制備裝置，其特征在于系桿(2)為彈性桿。

4.根據權利要求3所述適用于電子束蒸發技術的微球薄膜制備裝置，其特征在于所述彈性桿為直徑1mm～3mm的鋼絲。

5.根據權利要求1或2所述磁吸附微球薄膜制備裝置，其特征在于固定盤(3)由在室溫～300℃溫度區間不變形的非鐵磁性材料制作。

6.根據權利要求1或2所述磁吸附微球薄膜制備裝置，其特征在于篩網(5)由在室溫～300℃溫度區間不變形的材料制作，其網孔的孔徑小于鐵磁性微球襯底(6)的球徑。

7.一種電子束蒸發技術制備微球碳化硼薄膜的方法，其特征在于使用安裝有權利要求1至6中任一權利要求所述磁吸附微球薄膜制備裝置的電子束蒸發設備，步驟如下：

1)將碳化硼膜料放到電子束蒸發設備的坩堝中，將清洗、干燥后的鐵磁性微球形襯底吸附在磁吸附微球薄膜制備裝置的篩網之下并與篩網接觸，使鐵磁性微球襯底位于坩堝正上方20cm～30cm處；

2)在真空條件進行鍍膜，鍍膜真空度不低于3.0×10^-3Pa；襯底溫度為室溫～300℃；

3)調節電子束使其聚焦到碳化硼膜料上的束斑最小，調節所述磁吸附微球薄膜制備裝置，使篩網的轉動頻率為0.001Hz～0.01Hz，鍍膜時束流值控制在80mA～100mA，鍍膜時間以膜層厚度達到要求的尺寸為限。

8.一種碳化硼空心靶丸的制備方法，其特征在于將權利要求7所制備的以鐵磁性微球為襯底的微球碳化硼薄膜在常壓、900℃～1000℃退火處理后，在其表面開孔露出鐵芯襯底，然后放入稀硫酸水溶液中，在常壓、室溫腐蝕至少24小時，即形成碳化硼空心靶丸，繼后將所形成碳化硼空心靶丸進行清洗，清洗次數以去除殘留的硫酸為限。

9.根據權利要求8所述碳化硼空心靶丸的制備方法，其特征在于稀硫酸水溶液的濃度為2mol/L～3mol/L。

10.根據權利要求8或9所述碳化硼空心靶丸的制備方法，其特征在于碳化硼空心靶丸的清洗用去離子水或/和乙醇。