[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制法、基材穿孔制程及其結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110370965.6
• 申請日: 2011-11-21
• 公開（公告）號: CN102479766A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林佳昇;陳鍵輝;陳秉翔;洪子翔
• 申請（專利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種基材穿孔結(jié)構(gòu)，包括：

一半導(dǎo)體基材，其具有一背面以及貫穿該半導(dǎo)體基材背面的通孔；

金屬層，配置于該半導(dǎo)體基材上，且顯露于該通孔；

一第一絕緣層，其形成于該半導(dǎo)體基材的背面，該第一絕緣層具有與該通孔相連通的開口；以及

一第二絕緣層，其形成于該第一絕緣層上，且部分該第二絕緣層延伸至該開口的壁面上以及該通孔的壁面上，以形成一溝槽絕緣層，該溝槽絕緣層經(jīng)回蝕而于該通孔與該金屬層所形成的轉(zhuǎn)角處形成底腳，且該底腳的高度小于該第一絕緣層以及該第二絕緣層的高度和。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基材穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)更包括一導(dǎo)電層，其形成于該第二絕緣層上，且該導(dǎo)電層延伸至該開口以及該通孔中，并與該金屬層電性連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基材穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一絕緣層的厚度小于該第二絕緣層的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基材穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一絕緣層的厚度大于該第二絕緣層的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基材穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括一屏蔽層，形成于該第一絕緣層與該第二絕緣層之間。

6.一種基材穿孔制程，包括：

于一半導(dǎo)體基材的背面上形成一金屬層；

形成一第一絕緣層于該半導(dǎo)體基材的背面，并圖案化該第一絕緣層，以形成開口，該開口顯露出該半導(dǎo)體基材的背面；

經(jīng)由該開口，非等向蝕刻顯露于該開口的半導(dǎo)體基材，以形成貫穿該半導(dǎo)體基材的通孔，以令該金屬層顯露于該通孔；

形成一第二絕緣層于該第一絕緣層上，且部分該第二絕緣層延伸至該開口的壁面以及該通孔的壁面上，以形成一覆蓋該金屬層的溝槽絕緣層；以及

回蝕該通孔中的溝槽絕緣層，以顯露出部分該金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基材穿孔制程，其特征在于，該溝槽絕緣層的底部經(jīng)回蝕而于該通孔與該金屬層所形成的轉(zhuǎn)角處形成底腳，并令該底腳的高度小于該第一絕緣層以及該第二絕緣層的高度和。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基材穿孔制程，其特征在于，該制程更包括形成一導(dǎo)電層于該第二絕緣層上，且該導(dǎo)電層延伸至該開口以及該通孔中，以與該金屬層電性連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基材穿孔制程，其特征在于，該非等向蝕刻為電漿蝕孔。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基材穿孔制程，其特征在于，于圖案化該第一絕緣層之前，更包括形成一屏蔽層于該第一絕緣層上，以使該屏蔽層與該第一絕緣層并同圖案化，以在該第二絕緣層形成后，令該屏蔽層夾置于該第一絕緣層與該第二絕緣層之間。

11.一種半導(dǎo)體裝置的制法，包括：

于一半導(dǎo)體基材的背面上設(shè)置至少一主動組件及形成一金屬層，并電性連接該主動組件及該金屬層；

將一蓋板接合至該半導(dǎo)體基材，以令該主動組件及金屬層為該蓋板所覆蓋；

形成一第一絕緣層于該半導(dǎo)體基材的背面，并圖案化該第一絕緣層，以形成顯露出該半導(dǎo)體基材的開口；

經(jīng)由該開口，非等向蝕刻顯露于該開口中的半導(dǎo)體基材，以形成貫穿該半導(dǎo)體基材并顯露出該金屬層的通孔；

形成一第二絕緣層于該第一絕緣層上，且部分該第二絕緣層延伸至該開口的壁面以及該通孔的壁面上，以形成一覆蓋該金屬層的溝槽絕緣層；以及

回蝕該通孔中的溝槽絕緣層，以顯露出部分該金屬層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該溝槽絕緣層經(jīng)回蝕而于該通孔與該金屬層所形成的轉(zhuǎn)角處形成底腳，并令該底腳的高度小于該第一絕緣層以及該第二絕緣層的高度和。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該制法更包括形成一導(dǎo)電層于該第二絕緣層上，且該導(dǎo)電層延伸至該開口以及該通孔中，以與該金屬層電性連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，于圖案化該第一絕緣層之前，更包括形成一圖案化光阻層于第一絕緣層上。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制法，其特征在于，該非等向蝕刻為電漿蝕孔。