[發明專利]一種多晶硅反應爐清洗裝置

無效

• 申請號: 201110370440.2
• 申請日: 2011-11-21
• 公開（公告）號: CN103121025A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 李川川
• 申請（專利權）人: 常州市萬陽光伏有限公司
• 主分類號: B08B9/08
• 分類號: B08B9/08;B08B9/087;B08B9/093
• 代理公司: 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234
• 代理人: 張利強

技術領域

本發明涉及多晶硅領域，特別是涉及一種多晶硅反應爐清洗裝置。

背景技術

在該多晶硅反應爐中制造多晶硅時，熱分解和氫還原反應時作為副產品生成的氯硅烷聚合物凝結并附著于冷卻了的反應爐的內壁面。若要取出析出的多晶硅，必須將反應爐向大氣開放。此時，氯硅烷聚合物與大氣中的水分發生水解反應，生成氯化氫。該氯化氫腐蝕反應爐的內壁面，使作業區域惡化，對多晶硅產品而言是污染源。而且，在氯硅烷聚合物附著于反應爐壁的狀態下，反應爐內壁面的反射率降低，不反射來自加熱后的硅棒的輻射熱，電力使用效率降低.因此，為了高效率地制造高純度的多晶硅，需要在一次反應結束時且轉移到下一反應之前，除去附著于反應爐內壁面的氯硅烷聚合物。向具有凹凸的反應爐內壁面整個區域無遺漏地噴射高速噴射流是較為困難的，有時無法完全除去附著物。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種高效率且可靠地除去多晶硅反應爐內壁面的附著物的反應爐清洗裝置，能夠解決背景技術的問題。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種多晶硅反應爐清洗裝置，包括：圓盤形承接盤、貫通口、排液口、噴嘴裝置、活動裝置、洗刷裝置，所述承接盤水平設置在反應爐內，所述貫通口沿鉛直方向設置在承接盤的中央部，承接盤一側設置有排液口，承接盤的外周部設有凸緣部，所述貫通口一端連接有軸，所述軸端部設置有噴嘴裝置及洗刷裝置，所述洗刷裝置與軸之間通過活動裝置連接。

在本發明一個較佳實施例中，所述承接盤的上表面以朝向所述排液口具有向下抖坡的方式傾料。

在本發明一個較佳實施例中，所述噴嘴裝置向三維方向高壓噴射清洗液。

在本發明一個較佳實施例中，所述活動裝置可以縱向伸縮，0-360°旋轉。

在本發明一個較佳實施例中，所述洗刷裝置有軟性吸收材料。

本發明的有益效果是：本發明可無遺漏地將清洗水直接噴到反應爐內壁面的整個區域，通過清洗裝置有效并完全去除附著物，還將清洗中產生的鹽酸氣體等從排液口排出到系統外。

附圖說明

圖1是本發明多晶硅反應爐清洗裝置一較佳實施例的立體結構示意圖；

附圖中各部件的標記如下：1、承接盤，2、貫通口，3、排液口，4、凸緣部，5、噴嘴裝置，6、活動裝置，7、洗刷裝置，8、軸。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。

請參閱圖1和圖2，本發明實施例包括：

一種多晶硅反應爐清洗裝置，包括：圓盤形承接盤1、貫通口2、排液口3、噴嘴裝置5、活動裝置6、洗刷裝置7，所述承接盤1水平設置在反應爐內，所述貫通口2沿鉛直方向設置在承接盤1的中央部，承接盤一側設置有排液口3，承接盤1的外周部設有凸緣部4，所述貫通口一端連接有軸8，所述軸8端部設置有噴嘴裝置及洗刷裝置，所述洗刷裝置與軸8之間通過活動裝置連接。

所述承接盤1的上表面以朝向所述排液口3具有向下抖坡的方式傾料由此，向反應爐內壁面噴射后而收容于承接盤1的清洗廢液容易被引導到排液口3，因此能夠容易地對清洗后的清洗廢液進行處理。

所述噴嘴裝置5向三維方向高壓噴射清洗液，所述活動裝置6可以縱向伸縮，0-360°旋轉，所述洗刷裝置7有軟性吸收材料。設于軸8的上端的噴嘴裝置5可在反應爐的內壁面的上下范圍內有效地噴射清洗液，活動裝置6通過伸縮和旋轉，有效的使洗刷裝置7企清洗到反應爐的內壁面每一處附著物。

本發明的有益效果是：根據本發明的反應爐清洗裝置，能夠在從反應爐的內壁面的上部到下部的范圍內三維地向各方向高壓噴射清洗水，通過活動裝置6和洗刷裝置7可無遺漏地將反應爐內壁面的整個區域進行清洗。還將清洗中產生的鹽酸氣體等從排液口3排出到系統外，并且利用清洗水將附著物水解而生成硅。因此，對清洗后的反應爐的處理也是安全的，可高效率且可靠地除去殘留清洗液。

以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。