[發(fā)明專利]包含影響存儲器的操作條件的參數(shù)的存儲器指令

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110370037.X
• 申請日: 2011-11-15
• 公開（公告）號: CN102543154A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設計）人: 費代里科·皮奧
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C7/22
• 分類號: G11C7/22
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種方法，其包括：

接收包含用以在存儲器中的一位置處操作的命令及至少一個操作參數(shù)的指令；及

至少部分地基于所述至少一個操作參數(shù)來影響所述存儲器中的外圍電路的物理操作條件。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述物理操作條件包括施加到包含于所述存儲器中的一個或一個以上存儲器單元的偏置電壓或電流電平。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述物理操作條件包括用以區(qū)分存儲器單元邏輯電平的閾值電壓或電流及/或持續(xù)時間。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述物理操作條件包括所述存儲器的精確性及/或操作速度。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述操作參數(shù)包括數(shù)字信號。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其進一步包括將所述數(shù)字信號轉(zhuǎn)換成模擬信號。

7.根據(jù)權利要求5所述的方法，其進一步包括：

產(chǎn)生對應于所述數(shù)字信號的電壓或電流；及

將所述電壓或電流施加到包含于所述存儲器中的一個或一個以上外圍電路。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述命令包括用以執(zhí)行以下操作的命令：從所述存儲器讀取、寫入到所述存儲器或擦除所述存儲器的至少一部分。

9.根據(jù)權利要求5所述的方法，其進一步包括：

接收所述指令里包含的額外操作參數(shù)，其中所述額外操作參數(shù)指示是否將在后續(xù)指令期間施加所述操作參數(shù)。

10.一種存儲器裝置，其包括：

用以執(zhí)行以下操作的電路：

讀取到存儲器單元陣列或從存儲器單元陣列寫入，及

接收包含用以在所述存儲器單元陣列中的一位置處操作的命令的指令；及

用以執(zhí)行以下操作的參數(shù)管理塊：

接收所述指令里包含的至少一個操作參數(shù)，及

至少部分地基于所述至少一個操作參數(shù)來影響所述電路的物理操作條件。

11.根據(jù)權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述物理操作條件包括施加到包含于所述存儲器中的一個或一個以上存儲器單元的偏置電壓或電流電平。

12.根據(jù)權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述物理操作條件包括用以區(qū)分存儲器單元邏輯電平的閾值電壓或電流及/或持續(xù)時間。

13.根據(jù)權利要求10所述的存儲器裝置，其中所述物理操作條件包括所述存儲器的精確性及/或操作速度。

14.根據(jù)權利要求10所述的存儲器裝置，其進一步包括產(chǎn)生器，所述產(chǎn)生器用以至少部分地基于所述操作參數(shù)而產(chǎn)生電壓或電流電平。

15.根據(jù)權利要求10所述的存儲器裝置，其進一步包括：

第一輸入端口，其用以接收所述操作參數(shù)；及

第二輸入端口，其用以接收所述命令。

16.根據(jù)權利要求10所述的存儲器裝置，所述電路進一步用以接收描述所述存儲器單元陣列中的所述位置的地址。

17.一種系統(tǒng)，其包括：

存儲器裝置，其包括存儲器單元陣列，所述存儲器裝置進一步包括用以執(zhí)行以下操作的存儲器控制器：

寫入到所述存儲器單元陣列或從所述存儲器單元陣列讀??；

接收包含用以在所述存儲器單元陣列中的一位置處操作的命令的指令；

接收所述指令里包含的至少一個操作參數(shù)；及

至少部分地基于所述至少一個操作參數(shù)來影響所述存儲器裝置中的外圍電路的物理操作條件；及

處理器，其用以托管一個或一個以上應用程序且將所述指令起始到所述存儲器控制器以提供對所述存儲器單元陣列的存取。

18.根據(jù)權利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述物理操作條件包括施加到包含于所述存儲器中的一個或一個以上存儲器單元的偏置電壓或電流電平。

19.根據(jù)權利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述物理操作條件包括用以區(qū)分存儲器單元邏輯電平的閾值電壓或電流及/或持續(xù)時間。

20.根據(jù)權利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述物理操作條件包括所述存儲器的精確性及/或操作速度。