[發(fā)明專利]一種窄線寬光纖激光器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110370027.6 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102364768A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-02-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 溫曉東;裴麗;寧提綱;王春燦;陳宏堯;李晶;李超;張嬋;馮亭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01S3/067 | 分類號(hào): | H01S3/067;H01S3/08 |
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| 地址: | 100044 北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 窄線寬 光纖 激光器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種激光器,適用于通信領(lǐng)域。
背景技術(shù)
目前各類激光器中以光纖激光器優(yōu)點(diǎn)最為引人注目,光纖激光器的光束質(zhì) 量好,結(jié)構(gòu)緊湊、熱效率低、光-光轉(zhuǎn)換效率高。因此在很多領(lǐng)域光纖激光器都 得到了很好的推廣。就當(dāng)前發(fā)展情況而言,光纖激光器主要有多波長(zhǎng)、窄線寬、 高功率幾個(gè)發(fā)展方向。
首先,在大功率光纖激光器方面,基于包層抽運(yùn)技術(shù)的光纖激光器以其光 束質(zhì)量好、轉(zhuǎn)換效率高以及結(jié)構(gòu)緊湊等特點(diǎn)吸引了人們的廣泛關(guān)注。2004年光 纖激光器的單纖輸出功率達(dá)到千瓦量級(jí),2009年IPG公司報(bào)道已實(shí)現(xiàn)了單纖萬(wàn) 瓦的單模激光輸出。但隨著功率的增加,SBS、SRS和FWM等各種非線性效應(yīng)使 得光束質(zhì)量嚴(yán)重降低,并且成為進(jìn)一步增加激光功率的巨大障礙。大模場(chǎng)面積 (LMA)光纖的提出成為一種可行的方法,在保持光功率密度不變的情況下,增 大光纖半徑可以有效增加光纖所能承載的光功率,為大功率光纖激光器的制備 提供了必要的前提。但由于光纖半徑增加幅度有限,過(guò)大的光纖半徑使得模場(chǎng) 變的復(fù)雜,光束質(zhì)量得不到保證,因此該方法能夠解決的問(wèn)題受到光纖尺寸的 限制。
另一種方法為主控振蕩器的功率放大器(MOPA),這種方法可以有效增加激 光器功率,而且輸出激光的質(zhì)量很高,但同樣受到單根光纖光功率承載能力的 限制。
其次,在窄線寬方面,光纖激光器以小型化為主,更多的是追求更窄的線 寬,輸出激光的功率多數(shù)不高,而且在不改變激光器結(jié)構(gòu)的情況下很難有大的 改善。
因此,目前光纖激光器很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)窄線寬與高功率,而且結(jié)構(gòu)復(fù)雜,可 擴(kuò)展性差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是:
目前光纖激光器很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)窄線寬與高功率,而且結(jié)構(gòu)復(fù)雜,可擴(kuò)展性 差。
本發(fā)明的技術(shù)方案為:
一種窄線寬光纖激光器,該激光器包括第一至第2*N有源單模光纖,第一 至第2*N光纖光柵,第一至第N耦合器,第一至第N泵浦源,其連接方式為:
第一泵浦源的輸出端與第一光纖光柵的一端連接,第一光纖光柵的另一端 與第一有源單模光纖的一端連接,第一有源單模光纖的另一端與第一耦合器的 第一端口連接,第一耦合器的第三端口與第二有源單模光纖的一端連接,第二 有源單模光纖的另一端與第二光纖光柵連接。
第二泵浦源的輸出端與第三光纖光柵的一端連接,第三光纖光柵的另一端 與第三有源單模光纖的一端連接,第三有源單模光纖的另一端與第二耦合器的 第一端口連接,第二耦合器的第三端口與第四有源單模光纖的一端連接,第四 有源單模光纖的另一端與第四光纖光柵連接,第二耦合器的第四端口與第一耦 合器的第二端口連接。
第三泵浦源的輸出端與第五光纖光柵的一端連接,第五光纖光柵的另一端 與第五有源單模光纖的一端連接,第五有源單模光纖的另一端與第三耦合器的 第一端口連接,第三耦合器的第三端口與第六有源單模光纖的一端連接,第六 有源單模光纖的另一端與第六光纖光柵連接,第在三耦合器的第四端口與第二 耦合器的第二端口連接。
第N泵浦源的輸出端與第2*N-1光纖光柵的一端連接,第2*N-1光纖光柵 的另一端與第2*N-1有源單模光纖的一端連接,第2*N-1有源單模光纖的另一 端與第N耦合器的第一端口連接,第N耦合器的第三端口與第2*N有源單模光 纖的一端連接,第2*N有源單模光纖的另一端與第2*N光纖光柵的一端連接, 第N耦合器的第二端口與第一耦合器的第四端口連接。
激光從第2*N光纖光柵的另一端輸出。
N=2~100的整數(shù)。
所述的第一至第2*N有源單模光纖摻雜稀土離子,包括鉺離子、鐿離子、 或銩離子。
所述的第一至第2*N光纖光柵均為窄帶布拉格光纖光柵,反射譜中心波長(zhǎng) 一致,均在摻雜離子的有源單模光纖的增益光譜范圍內(nèi)取值。
第一至第2*N-1光纖光柵的反射譜一致,中心波長(zhǎng)反射率大于99%。
第2*N光纖光柵中心波長(zhǎng)反射率為10%~70%。
所述的第一至第N耦合器的分光比均為50∶50。
本發(fā)明和已有技術(shù)相比所具有的有益效果:
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H01S3-10 .控制輻射的強(qiáng)度、頻率、相位、極化或方向,例如開(kāi)關(guān)、選通、調(diào)制或解調(diào)





