[發明專利]NLDMOS器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201110369580.8
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN103123935A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 張帥;董科
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王江富

1.一種NLDMOS器件，P型硅襯底上形成有深N阱，在與所述深N阱相鄰的在P型硅襯底上形成有P阱，在所述深N阱中形成有浮置P型結構，在所述深N阱上形成有漏極，在所述P阱上形成有源極，在所述P阱同所述深N阱交界區域上方形成柵極，其特征在于，

所述浮置P型結構所對應的上方的深N阱中的N型雜質濃度大于下方的深N阱中的N型雜質濃度。

2.根據權利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，在所述深N阱中行成有一處浮置P型結構或多處深度相同的浮置P型結構，各處浮置P型結構所對應的上方的深N阱中的N型雜質濃度大于下方的深N阱中的N型雜質濃度。

3.根據權利要求2所述的NLDMOS器件，其特征在于，在所述深N阱中形成有兩處深度相同的浮置P型結構。

4.一種NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

一.在P型硅襯底上進行深N阱注入，形成N型漂移區；

二.在與所述深N阱相鄰的在P型硅襯底上注入P型雜質形成P阱，在所述深N阱中注入P型雜質，形成浮置P型結構；

三.在浮置P型結構所對應的上方的所述深N阱中注入N型雜質；

四.在所述深N阱上形成漏極，在所述P阱上形成源極，在所述P阱同所述深N阱交界區域上方形成柵極。

5.根據權利要求4所述的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，

在所述深N阱中注入P型雜質形成一處浮置P型結構或形成多處深度相同的浮置P型結構。

6.根據權利要求5所述的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，

在所述深N阱中注入P型雜質形成兩處深度相同的浮置P型結構。

7.根據權利要求5所述的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，

在所述深N阱DNW中注入的P型雜質為硼，注入面密度為1E12～6E12個/cm²，注入能量為800Kev～1500Kev。

8.根據權利要求5所述的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，

在各浮置P型結構所對應的上方的所述深N阱中注入的N型雜質為磷或砷，注入面密度為1E11～1E12個/cm²，注入能量為200Kev到1000Kev。