[發明專利]一種單端位線寫入電路

有效

• 申請號: 201110369552.6
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102394103A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 閆浩;洪纓;王東輝;侯朝煥
• 申請（專利權）人: 中國科學院聲學研究所
• 主分類號: G11C11/419
• 分類號: G11C11/419
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所 11309
• 代理人: 陳霽

1.一種單端位線寫入電路，包括驅動電路(310)和存儲單元(311)，其特征在于：所述驅動電路(310)包括觸發器(300)、反相器(I)和反饋控制電路(302)。

2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于：所述反饋控制電路(302)包括第一至第三N型MOS管(N1-N3)和第一至第三P型MOS管(P1-P3)，其中所述MOS管(P1)源極連接于高電源電壓，所述MOS管(P1)的柵極、所述MOS管(N1)的柵極和所述反相器(I)輸出端連接于節點NQ，所述反相器(I)輸入端和所述觸發器(300)輸出端連接于節點Q，所述觸發器(300)接入控制信號D和控制信號NWCLK，所述MOS管(P1)的漏極和所述MOS管(N2)的漏極相連，所述MOS管(P2)的柵極接入控制信號NWCLK，所述MOS管(N2)的柵極、所述MOS管(P3)的漏極和所述MOS管(N3)的漏極連接，所述MOS管(N2)的源極和所述MOS管(N1)的漏極、所述MOS管(P3)的柵極和所述MOS管(N3)的柵極連接，并輸出位線信號BL給所述存儲單元(311)，所述MOS管(N1)源極和所述MOS管(N3)的源極連接于低電源電壓。

3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于：所述反饋控制電路(302)還包括第四N型MOS管(N4)，所述MOS管(N4)的柵極和所述MOS管(P2)的柵極連接，并接入控制信號WCLK，所述MOS管(N4)的源極和所述MOS管(N1)的漏極連接，并輸出位線信號BL給所述存儲單元(311)，所述MOS管(N4)的漏極和所述MOS管(P2)的漏極連接，所述MOS管(P2)的源極連接于節點Q。

4.根據權利要求1所述的電路，其特征在于：所述存儲單元(311)包括第五至第八N型MOS管(N5-N8)和第四至第六P型MOS管(P4-P6)，其中所述MOS管(N5)的柵極接入字線信號WL，所述MOS管(N5)的源極接入所述位線信號BL，所述MOS管(N6)的漏極、所述MOS管(N8)的漏極、所述MOS管(N8)的柵極和所述MOS管(P5)的源極連接于高電源電壓，所述MOS管(N6)的源極、所述MOS管(P5)的源極和所述MOS管(P4)的漏極連接，所述MOS管(N6)的柵極、所述MOS管(P4)的源極、所述的MOS管(N7)的漏極、所述MOS管(P6)的柵極和所述MOS管(N9)的柵極連接于節點NQ，所述MOS管(N8)的源極和所述MOS管(P6)的源極連接，所述MOS管(P4)的柵極、所述MOS管(N5)的漏極和所述MOS管(P5)的柵極、所述MOS管(N7)的柵極連接于節點Q，所述MOS管(N7)的源極和所述MOS管源極連接于低電壓電源。