[發明專利]微晶薄膜晶體管、包括該晶體管的顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201110369325.3
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102544070A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 金杞泰;金圣起;李洪九;裵俊賢
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/84
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;呂俊剛

1.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：

基板；

在所述基板上彼此交叉以限定像素區域的選通線和數據線；

薄膜晶體管，其連接到所述選通線和數據線，并且該薄膜晶體管包括順序形成的柵極、由微晶硅制成的有源層、以及源極和漏極；

所述薄膜晶體管上的鈍化層；以及

所述鈍化層上的像素區域中的第一電極，并且所述第一電極連接到所述漏極，

其中，所述漏極和所述柵極之間的第一交疊寬度小于所述源極和所述柵極之間的第二交疊寬度。

2.根據權利要求1所述的裝置，該裝置還包括：蝕刻阻擋件，該蝕刻阻擋件被配置以防止所述有源層被蝕刻，其中，所述有源層的與所述蝕刻阻擋件相對應的部分用作所述薄膜晶體管的溝道，并且在所述薄膜晶體管中，從所述柵極的與所述漏極交疊的一端到所述溝道的第一距離小于從所述柵極的與所述源極交疊的另一端到所述溝道的第二距離。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述第一距離是約0到0.5微米，以及所述第二距離是約2到3微米。

4.根據權利要求1所述的裝置，該裝置還包括：

有機發光層和第二電極，其中所述有機發光層位于所述第一電極和所述第二電極之間。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述鈍化層包括由二氧化硅(SiO₂)制成的第一絕緣層和由氮化硅(SiN_x)制成的第二絕緣層，或者所述鈍化層具有單層結構。

6.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述柵極具有由第一金屬材料制成的單層結構，以及所述選通線具有包括由所述第一金屬材料制成的下層和由電阻小于所述下層的材料制成的上層的雙層結構。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中，所述第一金屬材料包括鉻、鉬、鎢、鈦或者這些金屬的合金。

8.根據權利要求6所述的裝置，其中，所述上層的材料包括銅或者鋁。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述薄膜晶體管還包括在所述有源層與所述源極和漏極之間的、由本征非晶硅制成的偏置層和摻雜雜質的非晶硅制成的歐姆接觸層。

10.根據權利要求9所述的裝置，其中，所述偏置層具有約的厚度。

11.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

在基板上形成柵極和選通線；

在所述柵極和所述選通線上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成微晶硅層；

在所述微晶硅層上形成歐姆接觸層；

在所述歐姆接觸層上形成源極和漏極；

對所述微晶硅層構圖以形成有源層；

在所述源極和漏極上形成鈍化層；以及

在所述鈍化層上形成第一電極，并且所述第一電極連接到所述漏極；

其中，所述漏極和所述柵極之間的第一交疊寬度小于所述源極和所述柵極之間的第二交疊寬度。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，形成所述微晶硅層的步驟包括：

在所述柵絕緣層上形成非晶硅層；

在所述非晶硅層上形成熱轉換層；

在所述熱轉換層上照射紅外激光以將所述非晶硅層晶體化為所述微晶硅層；以及

去除所述微晶硅層上的所述熱轉換層。

13.根據權利要求12所述的方法，所述方法還包括：

在所述非晶硅層和所述熱轉換層之間形成緩沖絕緣層，該緩沖絕緣層被構圖為蝕刻阻擋件，其中，所述有源層的與所述蝕刻阻擋件相對應的部分用作薄膜晶體管的溝道，并且從所述柵極的與所述漏極交疊的一端到所述溝道的第一距離小于從所述柵極的與所述源極交疊的另一端到所述溝道的第二距離。

14.根據權利要求11所述的方法，其中，所述柵極形成為由第一金屬材料制成的單層結構，以及所述選通線包括由所述第一金屬材料制成的下層和由電阻小于所述下層的材料制成的上層。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述第一金屬材料包括鉻、鉬、鎢、鈦或者這些金屬的合金。

16.根據權利要求14所述的方法，其中，所述上層的材料包括銅或者鋁。