[發明專利]一種TFT-LED彩色陣列顯示基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201110367855.4
• 申請日: 2011-11-18
• 公開（公告）號: CN102394240A
• 公開（公告）日: 2012-03-28
• 發明（設計）人: 鄧朝勇;楊利忠;楊小平;胡紹璐;雷遠清
• 申請（專利權）人: 貴州大學
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L21/77
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 李亮;程新敏

1.一種TFT-LED彩色陣列顯示基板，其特征在于：在襯底（1）上方依次為緩沖層（2），n型GaN層（3），三基色發光層（4），p型GaN層（5）和透明電極層（6）；n型GaN層（3）、三基色發光層（4）、p型GaN層（5）和透明電極層（6）共同組成顯示單元，在顯示單元上設有控制區（7），在顯示單元之間設有引線區（8）；在控制區（7）內設有由電容器下極板（10），電容器上極板（12）及同處于它們之間的絕緣層（25）所構成的電容器；由工作TFT柵極（13）、工作TFT的溝道（17）、工作TFT源極（22）、工作TFT漏極（23）及絕緣層（25）組成的工作TFT；以及由控制TFT柵極（15）、控制TFT溝道（18）、控制TFT源極（19）和控制TFT漏極（21）及絕緣層（25）組成的控制TFT；在引線區（8）內設有n型GaN層接地引線（11），工作TFT源極引線（24），控制TFT源極引線（20）及控制TFT柵極引線（16）；電容器下極板（10）與n型GaN層（3）接觸，n型GaN層接地引線（11）與電容器下極板（10）連接；電容器上極板（12）分別與工作TFT柵極（13）及控制TFT漏極（21）連接，工作TFT漏極（23）與透明電極層（6）連接，工作TFT的源極（22）與工作TFT源極引線（24）連接，控制TFT源極（19）與控制TFT源極引線（20）連接，控制TFT柵極（15）與控制TFT柵極引線（16）連接；絕緣層（25）處于各層金屬電極和不同層引線之間，在控制區（7）及引線區（8）的頂部設有鈍化保護層（26）。

2.根據權利要求1所述的TFT-LED彩色陣列顯示基板,其特征在于：襯底（1）的材料為藍寶石單晶襯底或SiC單晶襯底；n型半導體層（3）和p型半導體層（5）是由不同摻雜濃度的p型或n型GaN外延薄膜組成，其中n型半導體層摻入Si，p型半導體層摻入Mg或Zn；透明電極層（6）為原位生長的ITO或IZO。

3.根據權利要求1所述的TFT-LED彩色陣列顯示基板，其特征在于：三基色發光層（4）是由紅、綠、藍三種厚度相同的發光層組成發光陣列，發光陣列的每個單元獨立發光。

4.根據權利要求1所述的TFT-LED彩色陣列顯示基板，其特征在于：電容器的下極板（10）、上極板（12）、工作TFT柵極（13）、工作TFT漏極（23）、工作TFT源極（22）、控制TFT柵極（15）、控制TFT漏極（21）、控制TFT源極（19）以及各種引線的材料為Mo、Au、Cu、Ag、Ni或Al中的一種或幾種的搭配與組合，或者它們的合金，或者金屬與合金的搭配與組合。

5.根據權利要求1，所述的TFT-LED彩色陣列顯示基板，其特征在于：絕緣層（25）和鈍化保護層（26）采用SiO_x、SiN_x或SiO_xN_y絕緣材料。

6.根據權利要求1所述的TFT-LED彩色陣列顯示基板，其特征在于：工作TFT溝道（17）和控制TFT溝道（18）采用非晶硅、多晶硅或者單晶硅。